[发明专利]晶圆的湿法清洗方法

说明书

本发明涉及晶圆的湿法清洗方法，涉及半导体集成电路制造技术，在进行湿法清洗时，清洗液从晶圆的边缘开始喷射并逐渐移动至晶圆的中心位置，而避免火山型缺陷集中在晶圆中心位置，并同时可减少晶圆面内的火山型缺陷，而提高半导体器件的良率，本发明仅通过改变清洗液的喷射路线即可实现，工艺简单，成本较低。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种晶圆的湿法清洗方法。

背景技术

在半导体集成电路的制造过程中，需对晶圆进行清洗以去除残留在晶圆表面的杂质，通常采用湿法清洗工艺。如图1A至图1D所示，是现有晶圆的清洗方法的各步骤中的器件结构图，现有晶圆101的清洗方法包括如下步骤：

步骤一、如图1A和1B所示，提供一晶圆101。通常，所述晶圆101由单晶硅衬底圆片组成。在所述晶圆101的表面形成有二氧化硅层102，在所述二氧化硅层102上积累有第一导电类型电荷103；或者，在所述晶圆101的表面形成有氮化硅层，在所述氮化硅层上积累有第一导电类型电荷103。

如图1B所示，在所述晶圆101的表面积累有第一导电类型电荷103，第一导电类型电荷103会对所述晶圆101的正面造成一定的变形。图1B中，第一导电类型电荷103为负电荷。所述晶圆101的表面积累的第一导电类型电荷103通常由之前的工艺形成，且与工艺条件有很强的相关性，如在旋转镀膜(Spin coating)工艺中产生。

步骤二、如图1C所示，对所述晶圆101的正面进行化学湿法清洗，通过所述化学湿法清洗去除所述晶圆101的正面残留的杂质。

图1C中，标记104对应于所述化学湿法清洗的清洗液的供应源，标记105对应于清洗液的喷射路径，清洗液从供应源104中通入到喷射路径105中并从喷射路径105喷射到所述晶圆101的正面，现有技术中喷射路径105一直在晶圆中心喷射清洗液，并清洗液中具有第二导电类型电荷，与第一导电类型电荷103相反，第二导电类型电荷为正电荷。

所述化学湿法清洗的清洗液为二氧化碳水溶液(CO2Water，CO2W)。

但是，如图1D所示，在化学湿法清洗过程中，积累的第一导电类型电荷103会和所述化学湿法清洗的清洗液中的第二导电类型电荷发生反应产生火山型缺陷(volcanodefect)106。

并如图1C所示，由于喷射路径105一直在晶圆中心喷射清洗液，因此火山型缺陷(volcano defect)好发在晶圆中心位置，而晶圆中心位置为半导体器件的集中区域，因此严重影响半导体器件的良率。

发明内容

本发明在于提供一种晶圆的湿法清洗方法，包括：S1：提供一晶圆，在所述晶圆的表面积累有第一导电类型电荷；以及S2：对所述晶圆的表面进行湿法清洗工艺，以去除所述晶圆的表面残留的杂质，其中所述湿法清洗工艺的清洗液从晶圆的边缘开始喷射并逐渐移动至晶圆的中心位置，清洗液中具有第二导电类型电荷，并第二导电类型电荷与第一导电类型电荷的电荷类型相反。

更进一步的，所述晶圆由单晶硅衬底圆片组成。

更进一步的，在所述晶圆的表面形成有二氧化硅层，在所述二氧化硅层上积累有所述第一导电类型电荷。

更进一步的，在所述晶圆的表面形成有氮化硅层，在所述氮化硅层上积累有所述第一导电类型电荷。

更进一步的，所述晶圆的表面积累的所述第一导电类型电荷由膜层形成工艺形成。

更进一步的，所述膜层形成工艺为旋转镀膜工艺。

更进一步的，清洗液由供应源提供至喷射路径中，并由喷射路径喷射至所述晶圆的表面，在开始喷射清洗液时，所述喷射路径位于晶圆的边缘，然后逐渐移动至晶圆的中心。

更进一步的，由一移动构件将喷射路径从晶圆的边缘逐渐移动至晶圆的中心。