[发明专利]晶圆的湿法清洗方法在审
| 申请号： | 202011083802.5 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112259443A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王友长 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，包括：
S1：提供一晶圆，在所述晶圆的表面积累有第一导电类型电荷；以及
S2：对所述晶圆的表面进行湿法清洗工艺，以去除所述晶圆的表面残留的杂质，其中所述湿法清洗工艺的清洗液从晶圆的边缘开始喷射并逐渐移动至晶圆的中心位置，清洗液中具有第二导电类型电荷，并第二导电类型电荷与第一导电类型电荷的电荷类型相反。
2.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，所述晶圆由单晶硅衬底圆片组成。
3.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，在所述晶圆的表面形成有二氧化硅层，在所述二氧化硅层上积累有所述第一导电类型电荷。
4.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，在所述晶圆的表面形成有氮化硅层，在所述氮化硅层上积累有所述第一导电类型电荷。
5.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，所述晶圆的表面积累的所述第一导电类型电荷由膜层形成工艺形成。
6.根据权利要求5所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，所述膜层形成工艺为旋转镀膜工艺。
7.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，清洗液由供应源提供至喷射路径中，并由喷射路径喷射至所述晶圆的表面，在开始喷射清洗液时，所述喷射路径位于晶圆的边缘，然后逐渐移动至晶圆的中心。
8.根据权利要求7所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，由一移动构件将喷射路径从晶圆的边缘逐渐移动至晶圆的中心。
9.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，第二导电类型电荷为正电荷，第一导电类型电荷的电荷为负电荷。
10.根据权利要求1所述的晶圆的湿法清洗方法，其特征在于，第二导电类型电荷为负电荷，第一导电类型电荷的电荷为正电荷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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