[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 202011083004.2 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112786649A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 崔埈源;李东烨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭文峰;张逍遥 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括:
基底,所述基底具有显示区域和外围区域,所述外围区域包括第一电路区域、第二电路区域以及位于所述第一电路区域与所述第二电路区域之间的阻挡区域;
像素结构,在所述基底上在所述显示区域中;
第一电路晶体管,在所述基底上在所述第一电路区域中;
第一下电极,在所述基底上在所述阻挡区域中;
第一上电极,在所述第一下电极上,所述第一上电极和所述第一下电极构成第一电容器;以及
平坦化层,在所述基底上,所述平坦化层具有在所述阻挡区域中与所述第一电容器叠置的第一开口。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一电容器和所述第一电路晶体管限定第一电路结构,
其中,所述第一电路结构在所述阻挡区域的第一部分和所述第一电路区域中,并且
其中,所述第一电路晶体管和所述第一电容器彼此电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
像素限定层,在所述平坦化层上,所述像素限定层具有在所述阻挡区域中与所述第一开口叠置的第二开口,
其中,所述第一电容器与所述第二开口叠置。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
第一栅极绝缘层,在所述基底与所述平坦化层之间;
第二栅极绝缘层,在所述第一栅极绝缘层上,同时覆盖所述第一下电极;以及
绝缘中间层,在所述第二栅极绝缘层上,同时覆盖所述第一上电极,
其中,所述第一开口被构造为暴露位于所述阻挡区域中的所述绝缘中间层的顶表面,并且
其中,所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述像素结构包括:
第一电极,在所述平坦化层上;
发光层,在所述第一电极上;以及
第二电极,在所述发光层上,并且
其中,所述第二电极从所述显示区域延伸到所述外围区域,以与所述第一开口和所述第二开口叠置。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
连接电极,在所述阻挡区域中在所述绝缘中间层上,
其中,所述连接电极通过所述第一开口和所述第二开口与所述第二电极和所述绝缘中间层接触。
7.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
像素晶体管,在所述基底与所述像素结构之间,所述像素晶体管与所述像素结构电连接,
其中,所述像素晶体管包括:有源层,在所述基底上在所述显示区域中;栅电极,在所述第一栅极绝缘层上在所述显示区域中;以及源电极和漏电极,均在所述绝缘中间层上在所述显示区域中,并且
其中,所述第一下电极与所述栅电极位于同一层上。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置还包括:
存储电容器,与所述像素晶体管间隔开,
其中,所述存储电容器包括:下栅极图案,在所述第一栅极绝缘层上在所述显示区域中;以及上栅极图案,在所述第二栅极绝缘层上在所述显示区域中并且与所述下栅极图案叠置,并且
其中,所述第一上电极与所述上栅极图案位于同一层上。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的