[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域，阵列基板包括衬底基板和多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，有源层包括沟道区以及分别与沟道区沟道长度方向上的两端连接的第一区和第二区；沿垂直于衬底基板的方向，源极和漏极与有源层之间包括至少一层绝缘层，源极和漏极分别通过贯穿绝缘层的过孔与第一区和第二区连接；其中，过孔在与其相邻的沟道区的宽度方向上的尺寸大于沟道区的沟道宽度尺寸。由于本申请将过孔在沟道宽度方向上进行拉伸，避免了过孔曝光后因孔径扩大而出现弧形边界，从而解决沟道区沟道长度波动的问题；另外，过孔与有源层的接触面积增大后，接触电阻减小，也有利于解决电流发热的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

在显示技术中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)是显示面板的核心部件，通常制作于阵列基板上，包括：栅极、源极、漏极和有源层；其中，源、漏极分别通过过孔与有源层连接。当对栅极施加电压后，栅极和有源层之间形成电场，电场的作用使得有源层中的载流子开始移动产生电流，当沟道区达到饱和电流时，薄膜晶体管开启，实现源极与漏极之间的导通。

由于薄膜晶体管的性能与显示效果密切相关，因此如何改善TFT性能成为了现阶段亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板和显示面板，能够减少TFT中沟道区沟道长度的波动，从而在保证TFT均一性的同时改善电流发热现象。

第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，所述有源层包括沟道区以及分别与所述沟道区沟道长度方向上的两端连接的第一区和第二区；

沿垂直于所述衬底基板的方向，所述源极和漏极与所述有源层之间包括至少一层绝缘层，所述源极和所述漏极分别通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述第一区和所述第二区连接；其中，所述过孔在与其相邻的所述沟道区的宽度方向上的尺寸大于所述沟道区的沟道宽度尺寸。

第二方面，本申请还提供一种显示面板，包括上述第一方面所提供的阵列基板。

与现有技术相比，本申请提供的阵列基板和显示面板，至少实现了如下的有益效果：

本申请所提供的阵列基板及显示面板中，薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，源、漏极分别通过过孔与有源层电连接。由于过孔在与其相邻的沟道区的宽度方向上的尺寸大于沟道区的沟道宽度尺寸，也就是说，本申请将过孔沿沟道区的沟道宽度方向进行拉伸，此种设计方式能够避免过控曝光后孔径扩大形成圆形过孔，从而消除圆形边界导致的沟道区沟道长度波动，有效提高了各个TFT的均一性。此外，过孔沿沟道宽度方向拉伸后，其与有源层的接触面积增大、接触电阻减小，也有利于解决电流发热的问题，保证了TFT的器件特性。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1所示为发明人研究过程中提供的薄膜晶体管的一种俯视图；

图2所示为本申请实施例所提供的薄膜晶体管的一种膜层结构图；

图3所示为图2实施例所提供的薄膜晶体管的一种俯视图；

图4所示为图2实施例所提供的薄膜晶体管的另一种俯视图；

图5所示为发明人研究过程中提供的薄膜晶体管的另一种俯视图；