[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 202011053601.0 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN112164701B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 何水;杨铭;郑珊珊 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的多个薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极,所述有源层包括沟道区以及分别与所述沟道区沟道长度方向上的两端连接的第一区和第二区;
沿垂直于所述衬底基板的方向,所述源极和漏极与所述有源层之间包括至少一层绝缘层,所述源极和所述漏极分别通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述第一区和所述第二区连接;其中,所述过孔在与其相邻的所述沟道区的宽度方向上的尺寸大于所述沟道区的沟道宽度尺寸;
沿垂直于所述衬底基板的方向,所述过孔包括相对设置的第一端面和第二端面,所述第二端面位于所述第一端面远离所述衬底基板的一侧,所述过孔在与其相邻的所述沟道区的宽度方向上的尺寸为所述第一端面在与其相邻的所述沟道区的宽度方向上的尺寸;
所述第一区沿所述沟道区的长度方向的投影与所述第二区沿所述沟道区的长度方向的投影重合,两个所述过孔在所述沟道区的宽度方向上错位。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述过孔在所述有源层的正投影为矩形或圆角矩形。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔在与其相邻的所述沟道区宽度方向上的尺寸大于等于所述过孔在与其相邻的所述沟道区长度方向上的尺寸的2倍。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔沿与其相邻的所述沟道区的长度方向的投影覆盖与其相邻的所述沟道区的端部,所述端部为所述沟道区长度方向的端部。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一区和所述第二区沿第一方向排布且分别沿第二方向延伸,所述沟道区沿所述第一方向延伸且位于所述第一区及所述第二区之间,所述第一区和所述第二区沿所述第二方向的尺寸大于所述沟道区沿所述第二方向的尺寸;
其中,所述第一方向为所述沟道区的沟道长度方向,所述第二方向为所述沟道区的沟道宽度方向。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二区沿所述第二方向的尺寸与所述第一区沿所述第二方向的尺寸相等。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述过孔在所述有源层的正投影的面积为A1,所述第一区和所述第二区的面积为A2,其中,
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述沟道区的沟道宽度尺寸为w,所述沟道区的沟道长度尺寸为l,其中,w/l≥1/2。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至8之任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的