[发明专利]一种散热控制电路、散热背夹及移动终端

权利要求书

1.一种散热控制电路，其特征在于，所述电路包括：PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4、NMOS管Q5，其中，所述PMOS管Q1的源极和栅极之间并联电阻R1，所述PMOS管Q1的栅极连接至电源芯片的控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至风扇的正极，所述NMOS管Q2的漏极接地，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述控制端，所述NMOS管Q2的源极连接至所述电源芯片的电源端，所述NMOS管Q2的栅极连接至所述NMOS管Q5的栅极，所述PMOS管Q3的漏极和所述NMOS管Q4的源极连接至所述风扇的负极，所述NMOS管Q4的漏极接地，所述NMOS管Q5的栅极连接至所述控制端，所述NMOS管Q5的漏极接地，所述NMOS管Q5的源极分别连接至所述PMOS管Q3的栅极和所述NMOS管Q4的栅极，所述NMOS管Q5的源极通过上拉电阻R2连接至所述电源端；

若所述控制端输出低电平，则所述PMOS管Q1的栅极为低电平，所述PMOS管Q1工作在导通状态，所述电源端通过所述PMOS管Q1向所述正极输出，所述NMOS管Q2的栅极为低电平，所述NMOS管Q2工作在截止状态，所述正极的电源电压由所述电源端提供；所述NMOS管Q5的源极被所述上拉电阻R2拉高至所述电源端，所述PMOS管Q3的栅极为高电平，所述PMOS管Q3工作在截止状态，所述电源端不再通过所述PMOS管Q3向所述正极输出；所述NMOS管Q4的栅极为高电平，所述NMOS管Q4工作在导通状态，所述负极的电源电压为接地电压；

若所述控制端输出高电平，则所述PMOS管Q1的栅极为高电平，所述PMOS管Q1工作在截止状态，所述电源端不再通过所述PMOS管Q1向所述正极输出；所述NMOS管Q2的栅极为高电平，所述NMOS管Q2工作在导通状态，所述正极的电源电压为接地电压；所述NMOS管Q5的栅极为高电平，所述NMOS管Q5工作在导通状态，所述NMOS管Q5的源极为低电平，所述PMOS管Q3的栅极为低电平，所述PMOS管Q3工作在导通状态，所述电源端通过所述PMOS管Q3向所述负极输出；所述NMOS管Q4的栅极为低电平，所述NMOS管Q4工作在截止状态，所述负极的电源电压由所述电源端提供。

2.一种散热背夹，其特征在于，所述散热背夹包括如权利要求1所述的散热控制电路。

3.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括如权利要求1所述的散热控制电路。