[发明专利]晶圆处理装置

说明书

一种晶圆处理装置，本发明通过将放置晶圆的区域中的多个排气孔设置为封闭状态，并将至少一个第一沟槽和/或至少一个第二沟槽设置于平台表面与所述晶圆面向所述平台表面的平坦面接触的接触区，完全阻断具有腐蚀性的气体被传送到所述晶圆的所述平坦面的途径，避免所述晶圆的所述平坦面的膜层受到损害而发生物理特性的变化，影响后续制程。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

在半导体制程中，通常会在腔体中将待制备的晶圆设置于晶圆处理装置上，以对所述晶圆进行不同制程的制备。然而，在现行的晶圆处理装置中，设置于放置所述晶圆的区域中的排气孔通常会将对所述晶圆面向所述晶圆处理装置一面的膜层有损害的气体吸入，造成其物理特性发生变化而影响后续制程。因此，有必要提供一种晶圆处理装置，以解决上述的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆切割装置。

为了实现上述目的，本发明一方面提供一种晶圆处理装置，包括：

腔体；以及

晶圆处理平台，设置于所述腔体中，并且包括：

平台表面，用以放置晶圆，并且放置所述晶圆的区域为晶圆放置区；

多个排气孔，至少设置于所述晶圆放置区所对应的所述晶圆处理平台中，并且每个排气孔具有连通的设置于所述平台表面的第一端口与背离所述平台表面的第二端口；以及

多个顶针，分别设置于所述多个排气孔中，当所述多个顶针处于第一定位时，可支撑所述晶圆且设置于远离所述平台表面的方向上，当所述多个顶针处于第二定位时，可让所述晶圆放置于所述平台表面且所述多个排气孔为通畅状态，当所述多个顶针处于第三定位时，可让所述晶圆放置于所述平台表面且每个部份的顶针将对应的每个排气孔堵住，呈现封闭状态。

进一步地，所述平台表面还包括至少一个第一沟槽，并且所述平台表面与所述晶圆面向所述平台表面的平坦面接触的区域为接触区，所述至少一个第一沟槽设置于所述接触区内。

进一步地，所述至少一个第一沟槽以所述接触区的中心为中心呈环形放射状排列与线性放射状排列中的至少一者。

进一步地，所述平台表面的所述接触区内还包括沟槽宽度比所述至少一个第一沟槽的沟槽宽度宽的至少一个第二沟槽，其设置于所述至少一个第一沟槽的外围。

进一步地，所述晶圆处理装置还包括：抽气装置，当所述多个顶针处于所述第一定位与所述第二定位时，经由所述第一端口与所述第二端口抽离所述晶圆面向所述平台表面的平坦面与所述平台表面之间的气体。

进一步地，所述晶圆处理平台还包括感测孔，设置于所述晶圆处理平台中，用以安装感测器。

进一步地，所述晶圆处理平台还包括晶圆加热器，用以加热放置于所述平台表面的所述晶圆。

进一步地，所述晶圆处理平台还包括冷却管道，用以降温加热过的所述晶圆。

进一步地，每个顶针包括第一顶针部与第二顶针部，每个排气孔包括第一段排气孔与第二段排气孔，所述第一顶针部的一端用以支撑所述晶圆面向所述平台表面的平坦面，另一端与所述第二顶针部的一端连接，所述第一顶针部对应设置于所述第一段排气孔中，所述第二顶针部对应设置于所述第二段排气孔中，并且所述第一顶针部的截面积不小于所述第二顶针部的截面积，所述第一顶针部的至少部份的截面积大于所述第二段排气孔的截面积。

进一步地，所述第一顶针部设置为倒梯形形状。