[发明专利]晶圆处理装置

权利要求书

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

腔体；以及

晶圆处理平台，设置于所述腔体中，并且包括：

平台表面，用以放置晶圆，并且放置所述晶圆的区域为晶圆放置区；

多个排气孔，至少设置于所述晶圆放置区所对应的所述晶圆处理平台中，并且每个排气孔具有连通的设置于所述平台表面的第一端口与背离所述平台表面的第二端口；以及

多个顶针，分别设置于所述多个排气孔中，当所述多个顶针处于第一定位时，可支撑所述晶圆且设置于远离所述平台表面的方向上，当所述多个顶针处于第二定位时，可让所述晶圆面向所述平台表面的平坦背面平贴于所述平台表面，且所述多个排气孔维持于可供抽离所述平坦背面与所述平台表面之间的气体的通畅状态，当所述多个顶针处于第三定位时，可让所述晶圆放置于所述平台表面且每个所述顶针将对应的每个所述排气孔堵住，使其呈现封闭状态。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述平台表面还包括至少一个第一沟槽，并且所述平台表面中与所述晶圆面的所述平坦背面接触的区域为接触区，所述至少一个第一沟槽设置于所述接触区内，使得所述多个顶针处于第二定位时，所述至少一个第一沟槽为所述晶圆的所述平坦背面所覆盖，而使所述平坦背面与所述平台表面间的气体被抽离。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述至少一个第一沟槽以所述接触区的中心为中心呈环形放射状排列与线性放射状排列中的至少一者。

4.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述平台表面的所述接触区内还包括设置于所述接触区内的至少一个第二沟槽，所述至少一个第二沟槽的沟槽宽度比所述至少一个第一沟槽的沟槽宽度宽。

5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：抽气装置，当所述多个顶针处于所述第一定位与所述第二定位时，经由所述第一端口与所述第二端口抽离所述晶圆面向所述平台表面的平坦面与所述平台表面之间的气体。

6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述晶圆处理平台还包括感测孔，设置于所述晶圆处理平台中，用以安装感测器。

7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述晶圆处理平台还包括晶圆加热器，用以加热放置于所述平台表面的所述晶圆。

8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述晶圆处理平台还包括冷却管道，用以降温加热过的所述晶圆。

9.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于：每个顶针包括第一顶针部与第二顶针部，每个排气孔包括第一段排气孔与第二段排气孔，所述第一顶针部的一端用以支撑所述晶圆面向所述平台表面的平坦面，另一端与所述第二顶针部的一端连接，所述第一顶针部对应设置于所述第一段排气孔中，所述第二顶针部对应设置于所述第二段排气孔中，并且所述第一顶针部的截面积不小于所述第二顶针部的截面积，所述第一顶针部的至少部份的截面积大于所述第二段排气孔的截面积。

10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于：所述第一顶针部设置为倒梯形形状。