[发明专利]离子束沉积装置以及具有其的沉积系统

权利要求书

1.一种离子束沉积装置，包括：

基板组件，用于固定基板；

相对于所述基板组件倾斜的靶组件，所述靶组件包括具有沉积材料的靶；

离子枪，用于将离子束喷射到所述靶上，使得所述沉积材料的离子被朝向所述基板组件释放以在所述基板上形成沉积层；以及

基板加热器，用于将所述基板加热到高于室温的沉积温度。

2.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板组件上方的灯结构，所述灯结构在所述基板组件外部并朝向所述基板组件散发热量。

3.根据权利要求2所述的离子束沉积装置，其中所述灯结构包括热碳辐射器、氙灯或卤素灯。

4.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述基板组件包括：

基板固定器，用于保持所述基板，所述基板可倾斜在预定角度处；和

支撑件，连接到所述基板固定器并支撑所述基板固定器，所述支撑件相对于穿过所述基板固定器的中心的中心轴是可旋转的。

5.根据权利要求4所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板固定器内部的线型加热器，所述线型加热器具有螺旋线的形状。

6.根据权利要求4所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括布置在所述基板固定器内部的表面加热器，所述基板固定器的上表面是所述表面加热器的上表面。

7.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，还包括用于将补充离子束喷射到所述基板组件上的补充离子枪。

8.根据权利要求1所述的离子束沉积装置，其中所述靶包括钨、钌、钽、钛、铝、铜、钼、钴、锇、铂、镍、铬、银、锗、镁、钯、铪、锌、钒、锆、其合金和其金属氮化物中的至少一种。

9.一种离子束沉积装置，包括：

工艺室，在其中进行离子束沉积工艺；

在所述工艺室内部的基板组件，所述基板组件用于固定基板；

相对于所述基板组件倾斜的靶组件，所述靶组件包括具有沉积材料的靶；

在所述工艺室内部的离子枪，所述离子枪用于将离子束喷射到所述靶上，使得所述沉积材料的离子被朝向所述基板组件释放以在所述基板上形成沉积层；

在所述工艺室内部的基板加热器，所述基板加热器用于将所述基板加热到高于室温的沉积温度；

连接到所述工艺室的基板中转站，所述基板中转站用于容纳多个基板；以及

连接到所述工艺室的真空发生器，所述真空发生器用于将均匀的预定真空压强施加到所述工艺室。

10.根据权利要求9所述的离子束沉积装置，其中所述基板组件包括：

支撑件，连接到所述工艺室的第一内侧壁，所述支撑件是可旋转的；和

基板固定器，在所述支撑件上、用于保持所述基板，所述基板可倾斜在预定角度处。

11.根据权利要求10所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括在所述基板固定器内部的电加热器，所述电加热器成形为螺旋线。

12.根据权利要求9所述的离子束沉积装置，其中所述基板加热器包括布置在所述工艺室中的灯结构，所述灯结构在所述基板组件上方并朝向所述基板组件散发热量。

13.根据权利要求9所述的离子束沉积装置，其中所述工艺室中的所述预定真空压强在10^-5Torr至10^-9Torr的范围内。

14.根据权利要求9所述的离子束沉积装置，其中在所述离子束沉积工艺中，所述基板的温度在150℃至300℃的范围内。