[发明专利]半导体器件的版图和器件沟槽深度的监控方法有效
| 申请号： | 202011019728.0 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112185834B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吴长明;冯大贵;欧少敏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8234;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 版图 器件 沟槽 深度 监控 方法 | ||
1.一种半导体器件的版图，其特征在于，包括：
器件图形，所述器件图形用于在所述半导体器件的制备过程中，通过光刻工艺被传递到晶圆上，所述晶圆被所述器件图形所暴露的区域被刻蚀形成器件沟槽；
量测图形，所述量测图形用于在所述半导体器件的制备过程中，通过光刻工艺被传递到所述晶圆上，所述晶圆被所述量测图形所暴露的区域被刻蚀形成量测沟槽，通过原子力显微镜测量所述量测沟槽的深度以监控所述器件沟槽的深度；
其中，所述量测图形的特征尺寸和所述器件图形的特征尺寸的比值的取值范围为20至60。
2.根据权利要求1所述的版图，其特征在于，所述量测图形为矩形。
3.根据权利要求2所述的版图，其特征在于，所述量测图形的特征尺寸为5微米至20微米。
4.根据权利要求1至3任一所述的版图，其特征在于，所述半导体器件为功率器件。
5.一种器件沟槽深度的监控方法，其特征在于，包括：
通过光刻工艺在晶圆上形成器件图形和量测图形，所述量测图形的特征尺寸和所述器件图形的特征尺寸的比值的取值范围为20至60；
进行刻蚀，所述晶圆被所述器件图形所暴露的区域被刻蚀形成所述器件的沟槽，所述晶圆被所述量测图形暴露的区域被刻蚀形成量测沟槽；
通过原子力显微镜量测所述量测沟槽的深度，根据所述量测沟槽的深度监控所述器件沟槽的深度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述量测图形为矩形。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述量测图形的特征尺寸为5微米至20微米。
8.根据权利要求5至7任一所述的方法，其特征在于，所述器件为功率MOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
