[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含载体、第一半导体结构、反射层、第二半导体结构以及跨桥电极。第一半导体结构位于载体上且包含第一半导体层，第二半导体层，以及第一活性层形成于第一半导体层及第二半导体层之间。反射层位于第一半导体结构与载体之间。第二半导体结构位于载体与反射层之间，且包含第二活性层以及第三半导体层，第三半导体层位于反射层与第二活性层之间且具有第一侧表面。跨桥电极形成于第一侧表面上。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201610581500.8，申请日：2016年07月22日，发明名称：发光元件及其制造方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，且特别是涉及一种可发出多个主波长的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为被广泛使用的固态半导体发光元件。发光二极管包含一p型半导体层，一n型半导体层，以及一活性层位于p型半导体层及n型半导体层之间以发出一光线。发光二极管可将电能转换成光能，其工作原理为提供一电流予发光二极管以注入电子与空穴于活性层中，电子与空穴于活性层中结合后发出光线。

发明内容

一种发光元件包含一载体；以及一第一发光单元位于载体上，并包含一第一半导体结构及一第二半导体结构，其中第二半导体结构较第一半导体结构更靠近载体，第一半导体结构包含一第一多重量子阱结构以于操作时发出一具有一第一主波长的第一光线，以及第二半导体结构包含一第二多重量子阱结构以于操作时不发出光线。

一种发光元件包含载体、第一半导体结构、反射层、第二半导体结构以及跨桥电极。第一半导体结构位于载体上且包含第一半导体层，第二半导体层，以及第一活性层形成于第一半导体层及第二半导体层之间。反射层位于第一半导体结构与载体之间。第二半导体结构位于载体与反射层之间，且包含第二活性层以及第三半导体层，第三半导体层位于反射层与第二活性层之间且具有第一侧表面。跨桥电极形成于第一侧表面上。

一种发光元件的制造方法包含提供一成长基板；成长一包含一第一多重量子阱结构的第一半导体叠层于成长基板上；成长一包含一第二多重量子阱结构的第二半导体叠层于第一半导体叠层上；提供一载体；接合第二导体叠层至载体，其中载体包含一第一区及一邻接第一区的第二区；移除载体上第二区的第一半导体叠层以露出第二半导体叠层，并保留载体上第一区的第一半导体叠层；通过移除部分第二半导体叠层以形成一沟槽以将第二半导体叠层分隔为两个分开的部分；形成一第一顶部电极于载体上的第一区的第一半导体叠层上；以及形成一第二顶部电极于载体上的第二区的第二半导体叠层上，其中载体共同电连接至第一顶部电极及第二顶部电极。

附图说明

图1A～图1D是本发明一实施例中所揭示的一发光元件的制造方法；

图2是本发明第一实施例中所揭示的一发光元件的剖视图；

图3是本发明第二实施例中所揭示的一发光元件的剖视图。

符号说明

1 发光元件

1a 第一发光单元

1b 第二发光单元

10 成长基板

11 第一半导体叠层

11a 第一半导体结构

111 第一半导体层

112 第一活性层

113 第二半导体层

13 反射层

14 穿隧接面

15 第二半导体叠层

15a 第二半导体结构