[发明专利]发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010984325.3 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112234126A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吕绍平;陈怡名;彭钰仁;林俊宇;蔡均富;徐子杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
载体；
第一半导体结构，位于该载体上，且包含第一半导体层，第二半导体层，以及第一活性层形成于该第一半导体层及该第二半导体层之间；
反射层，位于该第一半导体结构与该载体之间；
第二半导体结构，位于该载体与该反射层之间，且包含第二活性层以及第三半导体层，该第三半导体层位于该反射层与该第二活性层之间且具有第一侧表面；以及
跨桥电极，形成于该第一侧表面上。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该反射层包含布拉格反射(DBR)结构。
3.如权利要求1或2所述的发光元件，还包含接触电极，位于该第二半导体结构的上表面。
4.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第二半导体结构还包含第四半导体层，位于该第二活性层与该载体之间。
5.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一半导体结构具有第二侧表面，该第二半导体结构具有上表面，且该第二侧表面与该上表面形成阶梯型结构。
6.如权利要求1或2所述的发光元件，还包含黏结层，位于该第二半导体结构与该载体之间。
7.如权利要求1或2所述的发光元件，还包含底部电极，位于该载体的背侧。
8.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一活性层包含单异质结构，双异质结构或多层量子阱结构。
9.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一活性层的材料包含InxGnyAl(1-x-y)N，InxGayAl(1-x-y)P或InxGayAl(1-x-y)As，其中0≤x,y≤1。
10.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该反射层具有与该第二半导体层相同的导电性。
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