[发明专利]透光显示模组、显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010979680.1 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112054048A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 许晓伟 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 显示 模组 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种透光显示模组,其特征在于,包括:
衬底;
像素定义层,位于所述衬底上,所述像素定义层包括隔离结构及由所述隔离结构围合形成的像素开口;
成核抑制层,位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧,所述成核抑制层包括多个抑制单元,所述抑制单元在所述像素定义层上的第一正投影覆盖至少部分所述隔离结构,且至少部分的所述抑制单元相互不连续设置;
第一公共电极,位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧,且所述第一公共电极在所述像素定义层上的第二正投影覆盖除所述第一正投影以外的至少部分区域。
2.根据权利要求1所述的透光显示模组,其特征在于,所述第一公共电极包括本体部及贯穿所述本体部且相互间隔设置的多个镂空部,所述镂空部在所述透光显示模组厚度方向上的正投影覆盖至少部分所述隔离结构在所述厚度方向上的正投影,所述抑制单元位于所述镂空部。
3.根据权利要求1所述的透光显示模组,其特征在于,所述第一公共电极的材料包括镁,且所述镁的重量占比大于或等于95%。
4.根据权利要求1所述的透光显示模组,其特征在于,
所述成核抑制层的厚度为10埃~100埃;
优选的,所述抑制单元的最小宽度大于或等于5μm;
优选的,所述抑制单元与所述像素开口之间的最小距离大于或等于10μm。
5.根据权利要求1所述的透光显示模组,其特征在于,所述透光显示模组还包括:
第一像素组,包括第一类子像素和第二类子像素,多个所述第二类子像素环绕于所述第一类子像素的周侧分布;
所述抑制单元位于所述第一类子像素的周侧,且所述抑制单元位于相邻的两个所述第二类子像素之间;
优选的,一个所述第一类子像素的周侧环绕设置有四个所述第二类子像素和四个所述抑制单元;
优选的,所述第一类子像素为绿色子像素,所述第二类子像素包括红色子像素和蓝色子像素。
6.根据权利要求5所述的透光显示模组,其特征在于,
所述像素开口包括第一像素开口和第二像素开口;
所述第一类子像素包括第一发光结构和第一像素电极,所述第一发光结构位于所述第一像素开口,且所述第一发光结构位于所述第一公共电极朝向所述衬底的一侧,所述第一像素电极位于所述第一发光结构朝向所述衬底的一侧;
所述第二类子像素包括第二发光结构和第二像素电极,所述第二发光结构位于所述第二像素开口,且所述第二发光结构位于所述第一公共电极朝向所述衬底的一侧,所述第二像素电极位于所述第二发光结构的朝向所述衬底的一侧;
优选地,每个所述第一发光结构在所述衬底上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,所述第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个;
优选地,每个所述第一像素电极在所述衬底上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,所述第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个;
优选地,每个所述第二发光结构在所述衬底上的正投影由一个第三图形单元组成或由两个以上第三图形单元拼接组成,所述第三图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个;
优选地,每个所述第二像素电极在所述衬底上的正投影由一个第四图形单元组成或由两个以上第四图形单元拼接组成,所述第四图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述显示面板包括:
权利要求1-6任一项所述的透光显示模组,位于所述第一显示区。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第二显示区的第二公共电极,所述第二公共电极包括镁银合金层;
优选的,所述镁银合金层的材料中,镁和银的重量比范围为1/15~1/9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的