[发明专利]掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置

权利要求书

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：

掩膜板主体；

位于所述掩膜板主体一侧表面的隔垫部，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间平缓过渡。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间呈倒圆角；

优选的，所述隔垫部的表面粗糙度小于或等于0.8μm。

3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板主体包括蒸镀区和包围所述蒸镀区的外围区，所述蒸镀区中具有若干蒸镀开口；所述隔垫部包括第一隔垫部和第二隔垫部，或者，所述隔垫部为第一隔垫部，或者，所述隔垫部为第二隔垫部；

所述第一隔垫部位于所述外围区的表面，所述第二隔垫部位于所述蒸镀开口之间的蒸镀区的表面；

优选的，当所述隔垫部包括第一隔垫部时，所述第一隔垫部呈环绕所述蒸镀区的环状结构；

优选的，当所述隔垫部包括第二隔垫部时，所述第二隔垫部的个数与所述蒸镀开口的个数之比的取值范围为1/18～2/9；

优选的，所述第二隔垫部均匀的分布在所述蒸镀区的表面。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔垫部的高度的取值范围为1.5μm～2μm；所述隔垫部的宽度的取值范围为17μm～20μm。

5.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：

形成掩膜板主体；

在所述掩膜板主体的一侧表面形成初始隔垫部；

对所述初始隔垫部背离所述掩模板主体一侧的顶角进行圆滑处理，使初始隔垫部形成隔垫部，所述隔垫部的侧壁和顶面之间平缓过渡。

6.根据权利要求5所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述圆滑处理为湿法刻蚀工艺；

优选的，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液的成分包括三氯化铁，所述三氯化铁的质量百分比浓度的取值范围为3％～5％，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀温度的取值范围为25摄氏度～40摄氏度。

7.一种显示基板，其特征在于，包括：基板，所述基板表面设置有像素限定层，所述像素限定层的表面设置有辅助功能层，所述辅助功能层的表面适于与权要1至6任意一项所述的掩膜板的隔垫部接触。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述像素限定层的表面设置有隔垫物，所述隔垫物的高度小于所述隔垫部的高度。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述像素限定层包括隔离结构和由所述隔离结构围合形成的像素开口，所述辅助功能层与所述隔离结构背离基板的表面直接接触。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7至9任意一项所述的显示基板。