[发明专利]显示设备

说明书

本发明公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极；电容器，包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。

技术领域

实施例涉及显示设备。更具体地，实施例涉及以高速驱动的显示设备。

背景技术

随着与显示设备有关的技术的发展，显示设备已经变得尺寸更大，分辨率更高并且速度更快。因此，在这样的显示设备中，在预定时间段内，栅信号可以被施加到更大数量的栅线。因此，可以减少用于允许将数据信号输入到像素的时间。

发明内容

如上所述，在减少了允许将数据信号输入到像素的时间的显示设备中，可以增加数据线的数量以补偿输入到像素的数据信号的时间的减少。包含在显示设备中的导电层的数量可以增加，以在有限的空间中提供更多数据线。当导电层的数量增加时，用于形成导电层的掩模工艺的数量可能增加，并且因此显示设备的制造时间和制造成本可能增加。

实施例提供了以高速驱动并使用减少数量的掩模工艺制造的显示设备。

根据本发明的实施例，显示设备包括：第一像素；在预定方向上与第一像素相邻的第二像素；在预定方向上延伸并且连接到第一像素的第一数据线；以及在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第二数据线。在这样的实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、布置在导电层上的半导体层、布置在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极；电容器，包括与栅电极布置在同一层中的第一电容器电极和布置在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及布置在晶体管和电容器上的发光器件。在这样的实施例中，第一数据线与源电极和漏电极布置在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个布置在同一层中。

在实施例中，第一数据线可以与第一像素的晶体管的源电极或漏电极一体地形成。

在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线和第二数据线可以彼此重叠。

在实施例中，显示设备可以进一步包括：布置在导电层与半导体层之间的缓冲层；布置在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层；布置在第一电容器电极与第二电容器电极之间的第二绝缘层；以及布置在第二电容器电极与源电极和漏电极之间的第三绝缘层。

在实施例中，第二数据线可以与第二电容器电极布置在同一层中，并且第二数据线可以通过穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。

在实施例中，第二数据线可以与导电层布置在同一层中，并且第二数据线通过穿过缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。

在实施例中，显示设备可以进一步包括在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第三数据线。第二数据线可以与第二电容器电极布置在同一层中，并且第三数据线可以与导电层布置在同一层中。

在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线、第二数据线和第三数据线可以彼此重叠。

在实施例中，第二数据线可以通过穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极，并且第三数据线可以通过穿过缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。

在实施例中，第二数据线可以包括具有小于栅电极的电阻的电阻的材料。

在实施例中，显示设备可以进一步包括沿预定方向排列的多个像素行。在这样的实施例中，第一像素可以包含在多个像素行中的奇数像素行中，并且第二像素可以包含在多个像素行中的偶数像素行中。