[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202010972042.7 | 申请日: | 2020-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN112563306A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 朴晙晳;金明花;金兑相;金亨俊;文然建;朴根徹;孙尙佑;林俊亨;全景辰;崔惠临 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 车玉珠;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
第一像素;
在预定方向上与所述第一像素相邻的第二像素;
在所述预定方向上延伸并且连接到所述第一像素的第一数据线;以及
在所述预定方向上延伸并且连接到所述第二像素的第二数据线,其中
所述第一像素和所述第二像素中的每个包括:
晶体管,包括导电层、布置在所述导电层上的半导体层、布置在所述半导体层上的栅电极以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极;
电容器,包括与所述栅电极布置在同一层中的第一电容器电极和布置在所述第一电容器电极上的第二电容器电极;以及
布置在所述晶体管和所述电容器上的发光器件,并且其中
所述第一数据线与所述源电极和所述漏电极布置在同一层中,并且
所述第二数据线与所述导电层和所述第二电容器电极中的一个布置在同一层中。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一数据线与所述第一像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极一体地形成。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,当在平面图中观察时,所述第一数据线和所述第二数据线彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
布置在所述导电层与所述半导体层之间的缓冲层;
布置在所述半导体层与所述栅电极之间的第一绝缘层;
布置在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的第二绝缘层;以及
布置在所述第二电容器电极与所述源电极和所述漏电极之间的第三绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,
所述第二数据线与所述第二电容器电极布置在同一层中,并且
所述第二数据线通过穿过所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极。
6.根据权利要求4所述的显示设备,其中,
所述第二数据线与所述导电层布置在同一层中,并且
所述第二数据线通过穿过所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极。
7.根据权利要求4所述的显示设备,进一步包括:
在所述预定方向上延伸并且连接到所述第二像素的第三数据线,
其中,
所述第二数据线与所述第二电容器电极布置在同一层中,并且
所述第三数据线与所述导电层布置在同一层中。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,当在平面图中观察时,所述第一数据线、所述第二数据线和所述第三数据线彼此重叠。
9.根据权利要求7所述的显示设备,其中,
所述第二数据线通过穿过所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极,并且
所述第三数据线通过穿过所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二数据线包括具有小于所述栅电极的电阻的电阻的材料。
11.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
沿所述预定方向排列的多个像素行,
其中,
所述第一像素包含在所述多个像素行中的奇数像素行中,并且
所述第二像素包含在所述多个像素行中的偶数像素行中。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述半导体层包括从非晶硅、多晶硅和金属氧化物中选择的至少一种材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





