[发明专利]复合型存储器结构

权利要求书

1.一种复合型存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

闪存存储器，位于所述基底上，且包括：

栅极，位于所述基底上；

第一掺杂区，位于所述栅极的一侧的所述基底中；以及

第二掺杂区，位于所述栅极的另一侧的所述基底中；

第一电阻式随机存取存储器，电连接至所述栅极、所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中的一者；以及

第二电阻式随机存取存储器，电连接至所述栅极、所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中的另一者。

2.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述闪存存储器还包括：

电荷存储层，位于所述栅极与所述基底之间；

第一介电层，位于所述电荷存储层与所述基底之间；以及

第二介电层，位于所述栅极与所述电荷存储层之间。

3.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中电荷存储层包括浮置栅极或电荷捕捉层。

4.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述闪存存储器还包括：

第一轻掺杂漏极，位于所述第一掺杂区与所述栅极之间的所述基底中；

第二轻掺杂漏极，位于所述第二掺杂区与所述栅极之间的所述基底中；以及

阱区，位于所述基底中，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第一轻掺杂漏极与所述第二轻掺杂漏极位于所述阱区中。

5.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述闪存存储器还包括：

间隙壁，位于所述栅极的侧壁上。

6.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述第一电阻式随机存取存储器的顶部的高度等于所述第二电阻式随机存取存储器的顶部的高度。

7.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述第一电阻式随机存取存储器的顶部的高度高于所述第二电阻式随机存取存储器的顶部的高度。

8.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中所述第一电阻式随机存取存储器的顶部的高度低于所述第二电阻式随机存取存储器的顶部的高度。

9.如权利要求1所述的复合型存储器结构，其中，

所述第一电阻式随机存取存储器包括：

第一电极；

第二电极，位于所述第一电极上；以及

第一可变电阻层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，且

所述第二电阻式随机存取存储器包括：

第三电极；

第四电极，位于所述第三电极上；以及

第二可变电阻层，位于所述第三电极与所述第四电极之间。

10.如权利要求9所述的复合型存储器结构，其中所述第一电阻式随机存取存储器电连接至所述栅极，且所述第二电阻式随机存取存储器电连接至所述第二掺杂区。

11.如权利要求10所述的复合型存储器结构，其中所述第一电极电连接至所述栅极，且所述第三电极电连接至所述第二掺杂区。

12.如权利要求11所述的复合型存储器结构，还包括：

第一导线，电连接至所述第一电极；

第二导线，电连接至所述第二电极；

第三导线，电连接至所述第四电极；以及

第四导线，电连接至所述第一掺杂区。

13.如权利要求9所述的复合型存储器结构，其中所述第一电阻式随机存取存储器电连接至所述栅极，且所述第二电阻式随机存取存储器电连接至所述第一掺杂区。

14.如权利要求13所述的复合型存储器结构，其中所述第一电极电连接至所述栅极，且所述第三电极电连接至所述第一掺杂区。