[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成膜层堆叠结构；刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域；图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构。本公开的半导体器件的制造方法可防止电容失效，提高电容稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。电容器作为动态随机存储器的核心部件，主要用于存储电荷。

通常在制造电容器的过程中，需要在衬底上形成交叠设置的支撑层和牺牲层，刻蚀支撑层和牺牲层以形成用于容纳电容器的孔状结构，在形成电容器后再去除牺牲层。然而，受制备工艺限制，使得不同刻蚀区域的膜层刻蚀深度不一，去除牺牲层后，部分电容因悬空而失效。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件及其制造方法，可防止电容失效，提高电容稳定性。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成膜层堆叠结构；

刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域；

图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域，包括：

在所述膜层堆叠结构背离所述衬底的一侧形成掩膜材料层；

在所述掩膜材料层背离所述衬底的表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成多个显影区，各所述显影区露出所述掩膜材料层；

在所述显影区对所述掩膜材料层进行刻蚀，以形成掩膜图案；

根据所述掩膜图案对所述膜层堆叠结构进行非等向刻蚀，并以所述衬底为刻蚀停止层，在位于所述第一区域的膜层堆叠结构中形成所述通孔，在位于所述第二区域的膜层堆叠结构中形成所述孔段。

在本公开的一种示例性实施例中，所述图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构，包括：

在所述第一区域的表面形成光刻胶层；

刻蚀所述第二区域的所述膜层堆叠结构及与所述第二区域正对的衬底；

去除所述光刻胶层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述刻蚀所述第二区域的所述膜层堆叠结构及与所述第二区域正对的衬底，包括：

沿垂直于所述膜层堆叠结构的方向对所述第二区域的膜层堆叠结构采用刻蚀气体进行干法刻蚀。

在本公开的一种示例性实施例中，所述刻蚀气体包括四氟化碳气体或六氟化硫气体中至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一区域为所述膜层堆叠结构的中心区域，所述第二区域为所述膜层堆叠结构的边缘区域。