[发明专利]晶圆破片检测装置及其使用方法在审
| 申请号: | 202010945724.9 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN112233992A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
| 发明(设计)人: | 杜配贤;顾海龙;何春雷 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95;G01R31/311 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张彦敏 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 破片 检测 装置 及其 使用方法 | ||
本发明涉及晶圆破片检测装置,涉及半导体集成电路制造设备,通过在工艺腔体上设置至少两组发射器和接收器,接收器用于接收与其对应的发射器发出的光,并每组发射器与接收器对应地设置在工艺腔体的两侧壁上,光处理器接收发射器发出的光以及接收器接收的光,输出一光差异信号,在晶圆的加工过程中,若光处理器任一者输出的光差异信号小于一阈值,则认为有晶圆破片现象发生,在下一片晶圆置于工艺腔体之前,若光处理器任一者输出的光差异信号大于一阈值,则认为有工艺腔体中有残留的晶圆破片,如此不但能检测在晶圆加工过程中是否有晶圆破片,还可在晶圆移出工艺腔体后检测腔体内是否有晶圆残留的碎片,且可增大检测面积。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造设备,尤其涉及一种晶圆破片检测装置。
背景技术
随着半导体技术的发展,对半导体产品的良率要求越来越高,因此对其制造过程中的工艺要求也越来越严格。
然后在现有工艺中,晶圆在机台腔体如快速退火机台内容易发生破片现象,在晶圆的制造过程中,希望及时发现破片以节省后续工艺。另也希望及时发现腔体内的碎片,以避免腔体内残留的晶圆碎片将后续的晶圆划伤而影响良率。
发明内容
本发明在于提供一种晶圆破片检测装置,包括:工艺腔体,用于对晶圆进行加工;至少两组光检测器,每组光检测器包括发射器、接收器以及光处理器,接收器用于接收与其对应的发射器发出的光信号,并每组发射器与接收器设置在工艺腔体的两侧壁上,该两侧壁位于晶圆的上下两侧,光处理器连接发射器及接收器,接收发射器发出的光信号以及接收器接收的光信号,并比较发射器发出的光信号与接收器接收的光信号的差异,输出一光差异信号,在晶圆的加工过程中,若光处理器任一者输出的光差异信号小于一阈值,则认为腔体内有晶圆破片现象发生,在晶圆加工完成后,移出晶圆,并在下一片晶圆置于工艺腔体之前,若光处理器任一者输出的光差异信号大于一阈值,则认为有工艺腔体中有残留的晶圆破片。
更进一步的,信号转换模块,接收所述光差异信号,并将所述光差异信号转换成电信号;以及控制器,接收信号转换模块输出的电信号,根据电信号确定是否发出警告信号,其中在晶圆的加工过程中,若认为腔体内有晶圆破片现象发生,或,在晶圆加工完成后,移出晶圆,并在下一片晶圆置于工艺腔体之前,若认为工艺腔体中有残留的晶圆破片,则控制器发出警告信号。
更进一步的,每组发射器与接收器对称地设置在工艺腔体的所述两侧壁上。
更进一步的,其中一组光检测器的发射器和接收器位于工艺腔体的所述两侧壁的中心位置。
更进一步的,所述组光检测器为机台自带的光检测器。
更进一步的,另一组光检测器的发射器和接收器位于工艺腔体的所述两侧壁的靠近边缘的位置。
更进一步的,所述发射器发出的光信号为红外光。
本发明还提供一种上述的晶圆破片检测装置的使用方法,包括:S1:开机,发射器发出光信号,与其对应的接收器接收发射器发出的光信号,光处理器连接发射器及接收器,接收发射器发出的光信号以及接收器接收的光信号,并比较发射器发出的光信号与接收器接收的光信号的差异,输出一光差异信号;S2:提供一晶圆,将晶圆置于工艺腔体,进行晶圆加工工艺,在晶圆的加工过程中,若光处理器任一者输出的光差异信号小于一阈值,则认为有晶圆破片现象发生;S3:在晶圆加工完成后,移出晶圆,并在下一片晶圆置于工艺腔体之前,若光处理器任一者输出的光差异信号大于一阈值,则认为有工艺腔体中有残留的晶圆破片。
更进一步的,在晶圆的加工过程中,若光处理器任一者输出的光差异信号小于一阈值,则信号转换模块根据光处理器输出的光差异信号而输出的电信号使得控制器发出警告信号。
更进一步的,在晶圆加工完成后,移出晶圆,并在下一片晶圆置于工艺腔体之前,若光处理器任一者输出的光差异信号大于一阈值,则信号转换模块根据光处理器输出的光差异信号而输出的电信号使得控制器发出警告信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





