[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审

申请号：	202010944864.4	申请日：	2020-09-10
公开（公告）号：	CN113437174A	公开（公告）日：	2021-09-24
发明（设计）人：	藤原郁夫;权镐楠;佐佐木启太;铃木和拓;熟田昌己;清水真理子;冈本和晃	申请（专利权）人：	株式会社东芝
主分类号：	H01L31/107	分类号：	H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/18;H01L27/144;G01S17/931;G01S17/894;G01S7/4865
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	刘英华
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	检测器检测系统激光雷达装置
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【说明书】：

本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-049455号(申请日：2020年3月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

背景技术

光检测器检测入射到包括第一导电型的半导体区域和第二导电型的半导体区域的元件的光。对于光检测器，期望缩短不灵敏时间(the dead time)。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

根据本发明的实施方式，光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线及第二布线。所述第一元件包括第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。所述第二半导体区域设置于所述第一半导体区域之上。所述第三半导体区域设置于所述第二半导体区域之上，与所述第二半导体区域接触。所述第二元件包括第一导电型的第四半导体区域及第二导电型的第五半导体区域。所述第四半导体区域设置于所述第一半导体区域之上，具有比所述第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。所述第五半导体区域设置于所述第四半导体区域之上，与所述第四半导体区域接触。所述第二元件在与从所述第一半导体区域朝向所述第一元件的第一方向垂直的方向上与所述第一元件并排。所述绝缘体设置于所述第一元件与所述第二元件之间。所述第一布线与所述第三半导体区域电连接。所述第二布线与所述第五半导体区域电连接。

根据本发明的实施方式，能够提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

附图说明

图1是例示第一实施方式的光检测器的一部分的示意性俯视图。

图2是图1中的部分II的放大俯视图。

图3是图2的III-III剖视图。

图4是图2的IV-IV剖视图。

图5的(a)及图5的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图6的(a)及图6的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图7的(a)及图7的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图8的(a)及图8的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图9的(a)及图9的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图10的(a)及图10的(b)是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。