[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审
| 申请号: | 202010944864.4 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN113437174A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 藤原郁夫;权镐楠;佐佐木启太;铃木和拓;熟田昌己;清水真理子;冈本和晃 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/18;H01L27/144;G01S17/931;G01S17/894;G01S7/4865 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测器 检测 系统 激光雷达 装置 | ||
1.一种光检测器,具备;
第一导电型的第一半导体区域;
第一元件,包括:第一导电型的第二半导体区域,设置于所述第一半导体区域之上;及第二导电型的第三半导体区域,设置于所述第二半导体区域之上,与所述第二半导体区域接触;
第二元件,包括:第一导电型的第四半导体区域,设置于所述第一半导体区域之上,具有比所述第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度;及第二导电型的第五半导体区域,设置于所述第四半导体区域之上,与所述第四半导体区域接触,该第二元件在与从所述第一半导体区域朝向所述第一元件的第一方向垂直的方向上与所述第一元件并排;
绝缘体,设置于所述第一元件与所述第二元件之间;
第一布线,与所述第三半导体区域电连接;以及
第二布线,与所述第五半导体区域电连接。
2.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
所述绝缘体沿着与所述第一方向垂直的第一面而设置于所述第一元件的周围。
3.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
所述第一元件在与所述第一方向垂直的第二方向和与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上设置有多个,
所述第二元件在第四方向上设置于所述第一元件彼此之间,该第四方向与所述第一方向垂直且相对于所述第二方向及所述第三方向倾斜。
4.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
所述第一元件及所述第二元件分别设置有多个,
多个所述第一元件沿着与所述第一方向垂直的第二方向和与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向排列,
多个所述第二元件的一部分在第四方向上设置于所述第一元件彼此之间,该第四方向与所述第一方向垂直且从所述第二方向及所述第三方向倾斜,
多个所述第二元件的其他部分沿着与所述第一方向垂直的第一面而设置于多个所述第一元件的周围。
5.根据权利要求3或4所述的光检测器,其中,
所述绝缘体包括多个第一绝缘部,该多个第一绝缘部沿着与所述第一方向垂直的第一面分别设置于多个所述第一元件的周围,
所述多个第一绝缘部相互分离。
6.根据权利要求5所述的光检测器,其中,
所述多个第一绝缘部的至少一部分包括:
沿着所述第二方向延伸的第一延伸部分;
沿着所述第三方向延伸的第二延伸部分;以及
连结所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的连结部分,
所述第一元件在所述第三方向上与所述第一延伸部分并排,在所述第二方向上与所述第二延伸部分并排。
7.根据权利要求6所述的光检测器,其中,
在所述多个第一绝缘部的所述至少一部分中,所述第一延伸部分与所述连结部分之间的角度及所述第二延伸部分与所述连结部分之间的角度为135度以上。
8.根据权利要求6或7所述的光检测器,其中,
从所述第一方向观察时,所述多个第一绝缘部的所述至少一部分为八边形。
9.根据权利要求6所述的光检测器,其中,
所述连结部分在从所述第一方向观察时弯曲。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的光检测器,其中,
所述连结部分的所述第一方向上的长度及所述第二方向上的长度为1μm以上。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的光检测器,其中,
还具备第一淬灭部,该第一淬灭部电连接于所述第三半导体区域与所述第一布线之间。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的光检测器,其中,还具备:
第一焊盘,与所述第一布线电连接;以及
第二焊盘,与所述第二布线电连接,与所述第一焊盘分离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010944864.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





