[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车

说明书

提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。

相关申请

本申请以日本专利申请2020-050754号(申请日：2020年3月23日)为基础，从该申请享受优先的利益。本申请通过参考该申请而包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

背景技术

有检测入射到半导体区域的光的光检测器。对于光检测器，期望灵敏度提高。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

根据本发明的实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。所述第二半导体区域设置于所述第一半导体区域之上，具有比所述第一半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。所述第三半导体区域设置于所述第二半导体区域之上。所述结构体在与从所述第一半导体区域朝向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第一面中设置于所述元件的周围。所述结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。所述含金属部设置于比所述第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。所述第二绝缘部设置于比所述第一绝缘部靠上方的位置，在所述第一面中位于所述含金属部与所述元件之间。所述第一绝缘部的所述第一方向上的厚度大于所述元件与所述含金属部之间的所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。

根据实施方式，能够提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。

附图说明

图1是例示第一实施方式的光检测器的示意性俯视图。

图2是图1中的部分II的放大俯视图。

图3是图2的A1-A2剖视图。

图4是图3的一部分的放大图。

图5是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图6是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图7是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图8是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图9是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图10是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图11是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图12是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图13是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图14是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图15是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。

图16是例示第一实施方式的光检测器的制造工序的示意图。