[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车

权利要求书

1.一种光检测器，具备元件及结构体，

所述元件包括：

第一导电型的第一半导体区域；

第一导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域之上，具有比所述第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度；以及

第二导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上，

所述结构体在与从所述第一半导体区域朝向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第一面中设置于所述元件的周围，所述结构体包括：

第一绝缘部；

含金属部，设置于比所述第一绝缘部靠上方的位置，至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度；以及

第二绝缘部，设置于比所述第一绝缘部靠上方的位置，在所述第一面中位于所述含金属部与所述元件之间，

所述第一绝缘部的所述第一方向上的厚度比所述元件与所述含金属部之间的所述第一面中的所述第二绝缘部的厚度大。

2.根据权利要求1所述的光检测器，其中，

所述含金属部的一部分在与所述第一方向垂直的第二方向上设置于与所述第二半导体区域和所述第三半导体区域之间的界面相同的高度。

3.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

还具备导电层，

所述元件及所述结构体设置于所述导电层之上，

所述结构体与所述导电层分离。

4.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

还具备导电层，

所述元件及所述结构体设置于所述导电层之上，

所述结构体与所述导电层接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光检测器，其中，还具备：

布线，设置于比所述第三半导体区域靠上方的位置，与所述第三半导体区域电连接；以及

淬灭部，电连接于所述第三半导体区域与所述布线之间。

6.根据权利要求5所述的光检测器，其中，

所述含金属部的上端位于比所述第三半导体区域靠上方的位置，并位于比所述布线靠下方的位置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光检测器，其中，

在所述第一绝缘部设置有空隙。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光检测器，其中，

所述第二半导体区域及所述第三半导体区域与所述结构体接触。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的光检测器，其中，

所述第三半导体区域的一部分在所述第一方向上与所述第一半导体区域接触。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光检测器，其中，

所述第一绝缘部及所述第二绝缘部包含硅和选自由氧及氮构成的组中的至少1种。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光检测器，其中，所述含金属部包含选自由钨、铝及铜构成的组中的至少1种。

12.一种光检测器，具备元件及结构体，

所述元件包括：

第一导电型的第一半导体区域；

第一导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域之上，具有比所述第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度；以及

第二导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域之上，

所述结构体在与从所述第一半导体区域朝向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第一面中设置于所述元件的周围，包括：

第一部分；

第二部分，设置于比所述第一部分靠上方的位置；以及

第三部分，设置于比所述第一部分靠上方的位置，位于所述第二部分与所述元件之间，

所述第一部分及所述第三部分中包含的材料的折射率，低于所述元件中包含的半导体材料的折射率，所述第二部分比所述第一部分及所述第三部分更容易反射光或吸收光。