[发明专利]一种碳化硅驱动装置在审
| 申请号： | 202010935515.6 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN114157172A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 易瑞良;韩非;任兆廷 | 申请（专利权）人： | 商飞信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H02M7/538;H02M7/5387;H02M5/458;H02M1/088;H02M1/32 |
| 代理公司： | 上海骁象知识产权代理有限公司 31315 | 代理人： | 孙路生 |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 驱动 装置 | ||
1.一种碳化硅驱动装置，其特征在于，包括：
处理板，所述处理板上设有调理电路，所述调理电路用于对输入的脉冲宽度调制信号进行调理处理；
以及，驱动板，所述驱动板与所述处理板连接，所述驱动板上设有驱动模块和碳化硅模块，所述驱动模块用于对调理处理后的所述脉冲宽度调制信号进行升压处理，所述碳化硅模块用于对升压处理后的所述脉冲宽度调制信号进行逆变处理并产生可变电流信号和/或可变电压信号；
其中，所述驱动模块支持频率大于或等于1000KHZ的脉冲信号；
所述碳化硅模块的开关频率为800KHZ-1000 KHZ。
2.根据权利要求1所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述驱动模块包括驱动芯片，所述驱动芯片的型号为ACPL-352J。
3.根据权利要求2所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述驱动模块还包括与所述驱动芯片连接的推挽电路，所述推挽电路用于对所述驱动芯片接收的所述脉冲宽度调制信号进行推挽升压处理。
4.根据权利要求1所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述驱动板还包括驱动电源，所述驱动电源的型号为QA151M。
5.根据权利要求1所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述碳化硅模块为英飞凌碳化硅模块。
6.根据权利要求5所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述碳化硅模块的型号为FF11MR12W1M1。
7.根据权利要求1所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述驱动板的直流侧主电路结构为交-直-交结构或直-交结构，所述驱动板的逆变侧采用的拓扑结构为单相半桥、单相全桥、两电平三相半桥、两电平三相全桥、三电平三相半桥、三电平三相全桥、五电平三相半桥、五电平三相全桥和三相四桥臂中的任意一种。
8.根据权利要求1-7任一项所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述驱动板上还设有采样模块，所述采样模块包括5路电压采样和10路电流采样。
9.根据权利要求1-7任一项所述的碳化硅驱动装置，其特征在于，所述碳化硅驱动装置还包括电磁兼容板，所述电磁兼容板分别与所述驱动板和所述处理板连接。
10.一种驱动系统，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的碳化硅驱动装置以及与所述碳化硅驱动装置连接的待驱动设备。
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