[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010934101.1 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112466907A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 金斗娜;金根佑;姜泰旭;李度炅;李镕守;朱在焕;金洸炫;禹荣杰;郑镕彬 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开涉及显示装置,所述显示装置包括:第一半导体层,位于第一缓冲层上,并且包括第一有源层;第一栅极绝缘层,位于所述第一半导体层上并且覆盖所述第一有源层;第一导电层,位于所述第一栅极绝缘层上并且包括第一栅电极;第二导电层,位于所述第一导电层上并且包括第一源/漏电极;第一层间绝缘层,位于所述第一导电层上;第二半导体层,位于所述第一层间绝缘层上并且包括第二有源层;第二栅极绝缘层,位于所述第二半导体层上并且覆盖所述第二有源层;以及第三导电层,位于所述第二栅极绝缘层上并且包括第二栅电极和第二源/漏电极。所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。
本申请要求于2019年9月9日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0111612号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例的各方面涉及显示装置,并且更具体地,涉及包括设置在彼此不同的层处(例如,设置在彼此不同的层上)的晶体管和彼此不同的多个栅极绝缘层的显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性正在增加。因此,使用诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置。
显示装置是显示图像的装置,并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。在这些显示面板中,显示装置可以包括发光元件作为发光显示面板。例如,发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)或使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管等。
这种显示装置包括显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板包括数据线、栅极线和像素。每个像素形成在每条数据线和每条栅极线之间的交叉点处。当将栅极信号供给到栅极线时,每个像素使用薄膜晶体管作为开关元件,以从数据线接收数据电压。每个像素根据数据电压发射具有期望的或合适的亮度(例如,预定的亮度)的光。
近来,已经发布了能够以超高清晰度(UHD)的高分辨率显示图像的显示装置,并且已经开发了能够以8K超高清晰度(8K UHD)的高分辨率显示图像的显示装置。UHD是指3840×2160的分辨率,并且8K UHD是指7680×4320的分辨率。
在高分辨率显示装置的情况下,随着像素的数量增加,每个像素的驱动电流可能减小。因此,每个像素的驱动晶体管的驱动电压的范围可能减小。
在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解,并且因此,以上信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的示例实施例的各方面涉及一种根据驱动晶体管和开关晶体管的装置特性而包括不同的栅极绝缘层的显示装置。
应当注意,本公开的示例实施例的各方面和各特征不限于上述方面和特征,并且根据以下描述,本公开的其他方面和特征对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
根据本公开的示例性实施例,一种显示装置包括:基底;第一缓冲层,位于所述基底上;第一半导体层,位于所述第一缓冲层上并且包括第一有源层;第一栅极绝缘层,位于所述第一半导体层和所述第一缓冲层上并且覆盖所述第一有源层;第一导电层,位于所述第一栅极绝缘层上并且包括第一栅电极;第二导电层,位于所述第一导电层上并且包括第一源/漏电极;第一层间绝缘层,位于所述第一导电层上;第二半导体层,位于所述第一层间绝缘层上并且包括第二有源层;第二栅极绝缘层,位于所述第二半导体层上并且覆盖所述第二有源层;以及第三导电层,位于所述第二栅极绝缘层上并且包括第二栅电极和第二源/漏电极。所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的