[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

第一缓冲层，位于所述基底上；

第一半导体层，位于所述第一缓冲层上并且包括第一有源层；

第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层和所述第一缓冲层上并且覆盖所述第一有源层；

第一导电层，位于所述第一栅极绝缘层上并且包括第一栅电极；

第二导电层，位于所述第一导电层上并且包括第一源/漏电极；

第一层间绝缘层，位于所述第一导电层上；

第二半导体层，位于所述第一层间绝缘层上并且包括第二有源层；

第二栅极绝缘层，位于所述第二半导体层上并且覆盖所述第二有源层；以及

第三导电层，位于所述第二栅极绝缘层上并且包括第二栅电极和第二源/漏电极，

其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层包括包含氧化硅的单层，并且

所述第二栅极绝缘层包括：

第一绝缘层，包括氧化硅；和

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上并且包含氮化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层的所述第一绝缘层与所述第二有源层接触。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层包括：

第三绝缘层，包含氧化硅；和

第四绝缘层，位于所述第三绝缘层上并且包含氮化硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层的所述第三绝缘层与所述第一有源层接触。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第四绝缘层的氢含量低于所述第二绝缘层的氢含量。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源层的与所述第一栅电极重叠的部分的在一个方向上的宽度大于所述第二有源层的与所述第二栅电极重叠的部分的在所述一个方向上的宽度。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层的厚度大于所述第二栅极绝缘层的厚度。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第二缓冲层，位于所述第二有源层和所述第一层间绝缘层之间。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二半导体层还包括位于所述第二缓冲层上的第三有源层，并且所述第二栅极绝缘层位于所述第三有源层上。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第三导电层还包括：第三栅电极和第三源/漏电极，位于所述第二栅极绝缘层上并且与所述第三有源层的至少一部分重叠。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第一保护层，位于所述第二导电层与所述第一导电层之间以及位于所述第二导电层与所述第一栅极绝缘层之间，

其中，所述第二导电层位于所述第一保护层上，并且所述第二导电层还包括第一电容器的一个电极，所述第一电容器的至少一部分与所述第一栅电极重叠。