[发明专利]开关装置

说明书

开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且设置在第二栅极结构下方。

技术领域

本发明是有关于一种开关装置，特别是一种耐高压的开关装置。

背景技术

由于电子装置对于低耗能的要求越来越高，因此集成电路的电能规格也被重新规划成能够在低压的环境下操作以减少电能损耗。举例来说，过去集成电路常见的电压规格是5V，现在则已降至3.3V或甚至低于2V。在此情况下，集成电路也大多以低压制程来制造以减少制造成本。

然而，在有些情况下，高压的操作仍无法避免。举例来说，闪存就需要透过高电压来执行写入操作及清除操作。在此情况下，低耗能的集成电路中，仍有部分的组件须以高压制程来制作以承受高压操作。然而，这样的做法将导致制程变得复杂，甚至使得良率降低。

发明内容

本发明的一实施例提供一种开关装置，开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。

第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的第一侧下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且有部分设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构的第二侧及第二栅极结构的第一侧之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且有部分设置在第二栅极结构下方。

本发明的另一实施例提供一种开关装置，开关装置包含基底、第一栅极结构、第一井、隔离结构、第二井、第二栅极结构、第一掺杂区及第二掺杂区。

【1】第一井具有第一类型的载子，形成于基底上，且有部分设置在第一栅极结构的第一侧下方。第二井具有第二类型的载子，形成于基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构的下方。第一掺杂区具有第一类型的载子，形成于第二井，且设置在第一栅极结构的第二侧及第二栅极结构的第一侧。第二掺杂区具有第一类型的载子，形成于第二井，且邻接于第二栅极结构的第二侧。第一类型的载子及第二类型的载子具有相异的极性。

附图说明

图1是本发明一实施例的开关装置的电路图。

图2是本发明一实施例的图1的开关装置结构图。

图3是图2的开关装置在第二状态时所接收到的电压示意图。

图4是本发明一实施例的开关装置的结构图。

图5本发明一实施例的开关装置的结构图。

图6是图5的开关装置在第二状态时所接收到的电压示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300:开关装置

110:第一晶体管

120:第二晶体管

P-sub:P型基底

NW1、NW2:N型井

PW1、PW2:P型井

G1、G2:栅极结构

ND1、ND2、ND3:N型掺杂区