[发明专利]开关装置

权利要求书

1.一种开关装置，其特征在于，包含：

P型基底；

第一栅极结构；

第一N型井，形成于所述P型基底上，且有部分设置在所述第一栅极结构的第一侧下方；

浅沟槽隔离结构，形成于所述第一N型井，且有部分设置在所述第一栅极结构的所述第一侧下方；

第一P型井，形成于所述P型基底上，且设置在所述第一栅极结构下方；

第二栅极结构；

第一N型掺杂区，形成于所述P型基底，且设置在所述第一栅极结构的第二侧及所述第二栅极结构的第一侧之间；

第二P型井，形成于所述P型基底，且设置在所述第二栅极结构下方；

第二N型掺杂区，形成于所述第二P型井，且有部分设置在所述第二栅极结构下方。

2.如权利要求1所述的开关装置，其特征在于，另包含第三N型掺杂区，形成于所述第一N型井，且未被所述第一栅极结构所掩盖，其中所述第三N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型井的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的开关装置，其特征在于所述第一N型井具有掺杂浓度梯度。

4.如权利要求1所述的开关装置，其特征在于，另包含第一轻掺杂P型井，形成于所述P型基底，其中：

所述第一N型井是形成于所述第一轻掺杂P型井；及

所述第一轻掺杂P型井的掺杂浓度小于所述第一P型井的掺杂浓度。

5.如权利要求4所述的开关装置，其特征在于所述第一轻掺杂P型井具有掺杂浓度梯度。

6.如权利要求5所述的开关装置，其特征在于所述第一轻掺杂P型井靠近所述第一N型井的部分具有较小的掺杂浓度。

7.如权利要求1所述的开关装置，其特征在于，另包含第二N型井，形成于所述P型基底，其中所述第二N型井的第一部份是设置于所述第一栅极结构下方，所述第二N型井的第二部份是设置于所述第二栅极结构下方，及所述第一N型掺杂区是形成于所述第二N型井。

8.如权利要求7所述的开关装置，其特征在于所述第一N型井及所述第二N型井具有掺杂浓度梯度。

9.如权利要求7所述的开关装置，其特征在于，另包含第二轻掺杂P型井，形成于所述P型基底，其中：

所述第二N型井是形成于所述第二轻掺杂P型井；及

所述第二轻掺杂P型井的掺杂浓度小于所述第二P型井的掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的开关装置，其特征在于所述第二轻掺杂P型井具有掺杂浓度梯度。

11.如权利要求10所述的开关装置，其特征在于所述第二轻掺杂P型井靠近所述第二N型井的部分具有较小的掺杂浓度。

12.如权利要求7所述的开关装置，其特征在于所述第一N型井的掺杂浓度大于所述第二N型井的掺杂浓度。

13.如权利要求1所述的开关装置，其特征在于当所述开关装置在第一状态时：

所述第二N型掺杂区接收第一参考电压；

所述第二栅极结构接收所述第一参考电压；

所述第一栅极结构接收第一操作电压；及

所述第一N型井接收第二操作电压；

其中所述第二操作电压大于所述第一操作电压，及所述第一操作电压大于所述第一参考电压。

14.如权利要求13所述的开关装置，其特征在于：

当所述开关装置是在所述第一状态时，所述第一P型井及所述第二P型井接收第二参考电压；及

所述第二参考电压小于或等于所述第一参考电压。