[发明专利]具有可配置的性能及缺陷管理的存储器装置在审
申请号: | 202010914970.8 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112445722A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | J·黄;罗贤钢;K·坦派罗 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 配置 性能 缺陷 管理 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器阵列,其包含存储器单元;
接口,其经配置以接收存储器存取请求;及
存储器控制单元,其可操作地耦合到所述存储器阵列及所述接口,所述存储器控制单元包括处理器,所述处理器经配置以执行存储在所述存储器装置上的指令,所述指令在由所述处理器执行时致使所述处理器执行以下操作:
根据用于存储器存取操作的第一存储器管理协议来控制所述存储器阵列的操作,所述第一存储器管理协议包含用于多个操作条件的边界条件,所述多个操作条件包括编程/擦除P/E周期、错误管理操作、每天驱动器写入DWPD及功耗;
监视所述存储器阵列对所述P/E周期、错误管理操作、DWPD及功耗的操作条件;
确定何时满足用于所述多个操作条件中的一个的边界条件;及
响应于确定满足用于第一监视操作条件的第一边界条件,改变所述第一存储器管理协议的一或多个操作条件以建立用于所述存储器存取操作的第二存储器管理协议,所述第二存储器管理协议包含第二监视操作条件的改变边界条件。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中所述第一存储器管理协议包含存储器单元缺陷协议;及
其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:
监视激活所述存储器单元缺陷协议的激活速率;及
通过响应于所确定存储器单元缺陷协议激活速率而改变以下各项中的一或多个来建立所述第二存储器管理协议:针对存储器存取请求经受错误检测的多个存储器单元的数目,针对存储器存取请求所存储的奇偶性位的数目以及作为所述存储器存取请求的一部分所写入的重复数据的量。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:
监视响应于所述存储器存取请求而执行的所述存储器阵列的P/E周期的速率;及
通过根据P/E周期的所确定速率改变所述存储器存取请求对存储器单元高速缓冲存储器的存取策略,建立所述第二存储器管理协议。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:通过根据所述P/E周期的所述所确定速率将单层级单元SLC高速缓冲存储器中所包含的存储器单元重新分配到多层级单元MLC,建立所述第二存储器管理协议。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:
监视所述存储器阵列对存储器单元耐久性的操作条件;及
通过根据所述存储器阵列对存储器单元耐久性的所确定操作条件改变赋予所述存储器存取请求对多个单层级单元SLC及多层级单元MLC的存取来建立所述第二存取器管理协议。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:
监视所述存储器阵列对存储器单元耐久性的操作条件;及
通过根据所述存储器阵列对存储器单元耐久性的所确定操作条件改变以下各项中的一或多个来建立所述第二存储器管理协议:针对存储器存取请求经受错误检测的多个存储器单元的数目,针对所述存储器存取请求所存储的奇偶性位的数目以及作为所述存储器存取请求的一部分所写入的重复数据的量。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理器经配置以执行致使所述处理器执行以下操作的指令:
通过根据所述存储器阵列对功耗的所确定操作条件改变以下各项中的一或多个来建立所述第二存储器管理协议:经受错误检测的存储器单元的数目、写入到所述存储器阵列的重复数据的量、所存储的奇偶性位的数目以及授予所述存储器存取请求的对存储器单元高速缓冲存储器的存取策略。
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