[发明专利]一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法

权利要求书

1.一种高频宽带的毫米波噪声源，其特征在于，包括：偏置电路、雪崩二极管、悬带式衰减匹配电路、陶瓷电容、微带-同轴转换器依次由纯金丝连接设置于腔体中，腔体的一个端面中间区域设置偏置电路，悬带式衰减匹配电路设置位置需要在腔体正中位置开一个宽度为1mm的镂空槽，镂空槽深度需大于下限频率50GHz的二分之一波长；悬带式衰减匹配电路由石英基片和铜箔及导电胶组成；偏置电路为雪崩二极管供电使其处于稳定的恒流工作状态，偏置电路中包含过压保护电路防止电压过高而导致雪崩二极管击穿损坏；使用 所述石英基片作为悬带式衰减匹配电路的介质基底，石英基片的相对介电常数为4.4，厚度为0.127；将石英基片设置于镂空槽的正上方处，基片宽度应大于镂空槽宽；所述陶瓷电容设置在镂空槽的一个边缘处，雪崩二极管设置在陶瓷电容的上表面，在高度上调整雪崩二极管上表面与石英基片上表面保持水平一致；设置 所述微带-同轴转换器于镂空槽的另一侧边缘处，靠近石英基片，间距不大于0.05mm；采用法兰盘结构通过螺钉固定在腔体的输出端面上。

2.一种高频宽带的毫米波噪声源制备方法，特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1：设置偏置电路、雪崩二极管、悬带式衰减匹配电路、陶瓷电容、微带-同轴转换器依次由纯金丝连接设置于腔体中，腔体的一个端面中间区域设置偏置电路，悬带式衰减匹配电路设置位置需要在腔体正中位置开一个宽度为1mm的镂空槽，镂空槽深度需大于下限频率50GHz的二分之一波长；悬带式衰减匹配电路由石英基片和铜箔及导电胶组成；偏置电路为雪崩二极管供电使其处于稳定的恒流工作状态，偏置电路中包含过压保护电路防止电压过高而导致雪崩二极管击穿损坏；腔体采用纯铜质金属，其高度根据不同频段波长确定；

步骤2：腔体的一个端面中间区域设置偏置电路，偏置电路为雪崩二极管供电，使二极管处于稳定的恒流工作状态；设置偏置电路和保护电路的电压调节灵敏度不大于0.002dB/V；

步骤3：采用石英基片作为悬带式衰减匹配电路的介质基底，石英基片的相对介电常数为4.4，厚度为0.127；将石英基片设置于镂空槽的正上方处，基片宽度应大于镂空槽宽；

步骤4：悬带式衰减匹配电路为宽频带π型电阻衰减匹配网络，采用真空镀膜技术将TaN电阻膜溅射在石英基片上，方阻为50Ω，设置电阻衰减网络兼顾频带的低端和高端，工艺上电阻衰减匹配网络制作时要求薄膜电阻均匀；

步骤5：在石英基片两侧采用铜箔及导电胶粘连的方式增加接地面积以保证其良好的接地性；在石英片边角表面处做具有一定弧型的表面化处理；

步骤6：陶瓷电容设置在镂空槽的一个边缘处，雪崩二极管设置在陶瓷电容的上表面，在高度上调整雪崩二极管上表面与石英基片上表面保持水平一致；

步骤7：设置微带-同轴转换器于镂空槽的另一侧边缘处，靠近石英基片，间距不大于0.05mm，采用法兰盘结构通过螺钉固定在腔体的输出端面上；

步骤8：设置雪崩二极管，悬带式衰减匹配电路以及微带-同轴转换器的上表面保持在同一水平高度。