[发明专利]阵列基板和显示面板有效
| 申请号: | 202010896182.0 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN112002713B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 杨路路;卢慧玲;常苗;张露;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
| 地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板和显示面板,该阵列基板包括衬底、半导体层、第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层的扫描线组包括第一扫描线和第二扫描线;在同一个像素区中,第二金属层在衬底上的投影位于第一扫描线在衬底上的投影和第二扫描线在衬底上的投影之间;第三金属层在衬底上的投影,第二金属层在衬底上的投影,以及半导体层在衬底上的投影至少部分重合,第三金属层、第二金属层以及半导体层的重合部分相互电连接。本发明能够有效简化阵列基板中像素电路的结构,提高像素电路的稳定性,优化显示面板的显示效果,同时有利于制造高PPI的显示面板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)作为一种自发光器件,因其具有低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化且无需背光源等优异性能,被广泛地应用在终端设备和穿戴设备等显示装置中。
目前的OLED显示面板的阵列基板中,基准电压Vref接入第二金属层M2,第二金属层M2与半导体层PSI之间需要通过第三金属层M3电连接,在连接过程中,需要在第二金属层M2和第三金属层M3之间的层间绝缘层(或,层间介质,Inter Layer Dielectric,简称为ILD)以及第三金属层M3和半导体层PSI之间的层间绝缘层上均设置过孔。并且第二金属层M2与半导体层PSI的距离较远,因此第三金属层的走线需要横跨第二金属层M2与半导体层PSI之间的区域,才能保证两者的连接。
然而,阵列基板中过孔数量较多,且金属层走线距离较长,导致像素区整体较大,不仅增加了像素电路结构的复杂度,而且不利于显示面板高像素密度(Pixels Per Inch,简称为PPI)的设计。
发明内容
为了解决背景技术中提到的至少一个问题,本发明提供一种阵列基板和显示面板,能够有效简化阵列基板中像素电路的结构,提高像素电路的稳定性,优化显示面板的显示效果,同时有利于制造高PPI的显示面板。
为了实现上述目的,第一方面,本发明提供一种阵列基板,包括:衬底、位于衬底上的半导体层,以及依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,第一金属层位于半导体层上。
半导体层、第一金属层、第二金属层和第三金属层中任意两者之间均设置有层间绝缘层。
第一金属层包括多个扫描线组,第三金属层包括多个数据线组,多个扫描线组和多个数据线组纵横交错限定出多个像素区;扫描线组均包括第一扫描线和第二扫描线。
在同一个像素区中,第二金属层在衬底上的投影位于第一扫描线在衬底上的投影和第二扫描线在衬底上的投影之间。
第三金属层在衬底上的投影、第二金属层在衬底上的投影,以及半导体层在衬底上的投影至少部分重合,第三金属层、第二金属层以及半导体层的重合部分相互电连接。
本发明提供的阵列基板,通过将同一个像素区中的第二金属层在衬底上的投影设置在第一扫描线在衬底上的投影和第二扫描线在衬底上的投影之间,将第二金属层靠近第三金属层和半导体层设置,从而减小第二金属层与半导体层之间的距离。并且通过将第三金属层在衬底上的投影,第二金属层在衬底上的投影,以及半导体层在衬底上的投影设置为至少部分重合,有利于三者重合部分的电连接,从而在接入基准电压Vref的第二金属层与半导体层连接时,减小两者之间电连接的第三金属层的走线长度,并且三者可以仅通过第三金属层与半导体层之间的过孔完成电连接,减小三者电连接时所需的过孔数量,简化阵列基板中像素电路结构,提高了像素电路的稳定性,从而优化显示面板的显示效果,并且减小阵列基板像素区的占用面积,有利于制造高PPI的显示面板。
在上述的阵列基板中,可选的是,每个像素区包括像素电极和至少两个薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





