[发明专利]阵列基板和显示面板有效
| 申请号: | 202010896182.0 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN112002713B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 杨路路;卢慧玲;常苗;张露;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
| 地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底、位于所述衬底上的半导体层,以及依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中,所述第一金属层位于所述半导体层上;
所述半导体层、所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层中任意相邻两者之间均设置有层间绝缘层;
所述第一金属层包括多个扫描线组,所述第三金属层包括多个数据线组,多个所述扫描线组和多个所述数据线组纵横交错限定出多个像素区;所述扫描线组均包括第一扫描线和第二扫描线;
在同一个所述像素区中,所述第二金属层在所述衬底上的投影位于所述第一扫描线在所述衬底上的投影和所述第二扫描线在所述衬底上的投影之间;
所述第三金属层在所述衬底上的投影、所述第二金属层在所述衬底上的投影,以及所述半导体层在所述衬底上的投影至少部分重合,所述第三金属层、所述第二金属层以及所述半导体层的重合部分相互电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素区包括像素电极和至少两个薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层;所述栅极与所述扫描线组电连接,所述源极与所述数据线组电连接,所述漏极与所述像素电极电连接;
至少两个薄膜晶体管包括至少一个充电薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述充电薄膜晶体管包括相互短接的第一栅极和第二栅极,所述第一金属层形成所述栅极的所述第一栅极和所述第二栅极,所述第二金属层形成所述源极,所述第三金属层形成所述漏极,所述半导体层形成所述有源层;
在所述充电薄膜晶体管中,所述半导体层包括第一半导体区、第二半导体区以及连接在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的耦合半导体区;所述第一栅极在所述衬底上的投影与所述第一半导体区在所述衬底上的投影重合,所述第二栅极在所述衬底上的投影与所述第二半导体区在所述衬底上的投影重合;所述耦合半导体区与所述第二金属层耦合。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线组包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线和所述第二数据线之间具有间距。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线位于一列所述像素区,且与该列的各所述像素区中的所述驱动薄膜晶体管的所述源极电连接,所述第二数据线位于与该列的像素区相邻的一列所述像素区。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线为VDD数据线,所述第二数据线为Data数据线。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三金属层、所述第二金属层以及所述半导体层通过第一过孔电连接;
所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层,所述第一层间绝缘层位于所述半导体层和所述第一金属层之间,所述第二层间绝缘层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间,所述第三层间绝缘层位于所述第二金属层和所述第三金属层之间;
所述第一过孔穿过所述第一层间绝缘层、所述第二层间绝缘层和所述第三层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素区包括电容,所述电容包括沿垂直于所述衬底方向上间隔设置的第一极板和第二极板,所述第一极板和所述第二极板相互绝缘;
所述第一极板在所述衬底上的投影和所述第二极板在所述衬底上的投影至少部分重合。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,在同一所述像素区的所述电容中,所述第一金属层在所述衬底上的投影和所述第二金属层在所述衬底上的投影至少部分重合;
所述第一金属层形成所述第一极板和所述第二极板中的一个,所述第二金属层形成所述第一极板和所述第二极板中的另一个;
所述第二金属层和所述第三金属层中的所述第一数据线电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第三层间绝缘层上设置有第二过孔,所述第二金属层和所述第三金属层中的所述第一数据线通过所述第二过孔电连接。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





