[发明专利]磁性存储器件

说明书

一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。

技术领域

发明构思的实施方式涉及磁性存储器件，更具体地，涉及使用磁畴的移动的磁性存储器件。

背景技术

需要高速和低电压存储器件，以实现使用这种存储器件的高速和低功率电子装置。已经研究了磁性存储器件作为满足这些需求的存储器件。磁性存储器件由于其高速操作特性和/或非易失性特性而作为下一代存储器件受到关注。例如，最近已经研究和开发了使用磁性材料的磁畴壁的移动现象的磁性存储器件。

发明内容

发明构思的实施方式可以提供配置为改善或提高集成密度的磁性存储器件。

在一方面，一种磁性存储器件可以包括：第一单元阵列结构，其包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案和第二自由磁性图案在衬底的表面上沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及在第二方向上与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还可以包括第一晶体管区域，该第一晶体管区域包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还可以包括第二晶体管区域，该第二晶体管区域包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域可以在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。

在一方面，一种磁性存储器件可以包括：第一单元阵列结构，其包括在衬底的表面上沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一组磁性图案以及包含连接到第一组磁性图案的第一晶体管的第一晶体管区域；以及第二单元阵列结构，其包括沿第一方向延伸且与第一组磁性图案交错地设置的第二组磁性图案以及包含连接到第二组磁性图案的第二晶体管的第二晶体管区域。第一晶体管可以在第二方向上布置，第二晶体管可以在第二方向上布置。第二晶体管区域可以在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。

在一方面，一种磁性存储器件可以包括：第一组磁性图案，其在衬底的表面上沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；与第一组磁性图案交错地设置的第二组磁性图案；第一晶体管区域，其包括第一晶体管，该第一晶体管分别连接到第一组磁性图案的第一端部区域并且在第二方向上布置；第二晶体管区域，其包括第二晶体管，该第二晶体管分别连接到第二组磁性图案的第二端部区域并且在第二方向上布置；第一中央晶体管区域，其包括第一中央晶体管，该第一中央晶体管分别连接到第一组磁性图案的第一中央区域；以及第二中央晶体管区域，其包括第二中央晶体管，该第二中央晶体管分别连接到第二组磁性图案的第二中央区域。第二晶体管区域可以在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。第一晶体管区域和第二晶体管区域中的每个以及第一中央晶体管区域和第二中央晶体管区域中的每个可以包括在第一方向上延伸的一对栅电极以及在所述一对栅电极之间的第一掺杂剂区域。

附图说明

鉴于附图和随附的详细描述，发明构思将变得更加明显。

图1是示出根据发明构思的一些实施方式的磁性存储器件的俯视图。

图2是图1的区域‘Q’的放大图。

图3和图4分别是沿图1的线A-A'和B-B'截取的剖视图。

图5和图6是图3的区域‘P’的放大图。