[发明专利]磁性存储器件

权利要求书

1.一种磁性存储器件，包括：

第一单元阵列结构，其包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案在衬底的表面上沿第一方向延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及

第二单元阵列结构，其包括在所述第一自由磁性图案与所述第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及在所述第二方向上与所述第三自由磁性图案间隔开且所述第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案，

其中，所述第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，所述第一晶体管区域包括分别连接到所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案的第一晶体管，

其中，所述第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，所述第二晶体管区域包括分别连接到所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案的第二晶体管，以及

其中，所述第二晶体管区域在所述第一方向上与所述第一晶体管区域间隔开。

2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一自由磁性图案与所述第三自由磁性图案之间在所述第二方向上的距离基本上等于所述第三自由磁性图案与所述第二自由磁性图案之间在所述第二方向上的距离。

3.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域中的每个包括：

一对栅电极，当在俯视图中观察时，所述一对栅电极在所述第二方向上彼此间隔开并且所述第一自由磁性图案、所述第二自由磁性图案、所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案中的一个在其间；以及

在所述一对栅电极之间的第一掺杂剂区域；以及

第二掺杂剂区域，其在所述第二方向上与所述第一掺杂剂区域间隔开并且所述一对栅电极在其间。

4.根据权利要求3所述的磁性存储器件，还包括：

第一接触，其将所述第一掺杂剂区域中的相应第一掺杂剂区域连接到所述第一自由磁性图案、所述第二自由磁性图案、所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案；

第一源极线和第二源极线，其分别在所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域的所述一对栅电极之上沿所述第二方向延伸；以及

第二接触，其分别将所述第一源极线和所述第二源极线连接到所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域的所述第二掺杂剂区域。

5.根据权利要求4所述的磁性存储器件，其中，所述第二接触在所述第一方向上与所述第一接触间隔开。

6.根据权利要求5所述的磁性存储器件，其中，所述第二晶体管区域的所述一对栅电极中的至少一个栅电极的相应侧壁在所述第一方向上与所述第一晶体管区域的所述一对栅电极中的相应栅电极的相应侧壁对准。

7.根据权利要求4所述的磁性存储器件，还包括：

分别在所述第一接触与所述第一自由磁性图案、所述第二自由磁性图案、所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案之间的导电间隔物；以及

分别在所述导电间隔物与所述第一接触之间的第一下部磁性图案。

8.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一晶体管在所述第二方向上布置，以及其中，所述第二晶体管在所述第二方向上布置。

9.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一晶体管区域包括在所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案的相反的端部区域下方的一对第一晶体管区域，以及

其中，所述第二晶体管区域包括在所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案的相反的端部区域下方的一对第二晶体管区域。

10.根据权利要求3所述的磁性存储器件，其中，所述第一晶体管区域在所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案的相反的端部区域之间的第一中央区域下方，以及

其中，所述第二晶体管区域在所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案的相反的端部区域之间的第二中央区域下方。