[发明专利]一种低功耗上电复位和掉电复位电路有效
| 申请号： | 202010813618.5 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111934657B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张斌 | 申请（专利权）人： | 南京物间科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/24 | 分类号： | H03K17/24 |
| 代理公司： | 成都熠邦鼎立专利代理有限公司 51263 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 复位 掉电 电路 | ||
1.一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，包括依次连接的电压采集电路、反相器电路、RC延迟电路和施密特触发器；
所述电压采集电路包括一采用二极管连接形式的第一晶体管和为第一晶体管提供静态偏置电流的静态偏置电路；所述静态偏置电路包括负阈值电压的原生NMOS晶体管电路和偏置电阻；
所述RC延迟电路输出端与电源之间连接一采用反偏二极管连接方式的第二晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，所述反相器电路包括依次连接的第一反相器和第二反相器。
3.根据权利要求2所述的一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，所述第一反相器包括多个相串联的晶体管，多个晶体管串联后一端与电源相连且另一端接地。
4.根据权利要求3所述的一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，所述第一反相器包括第三PMOS晶体管和多个串联的NMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管、多个NMOS晶体管的栅极均与第一晶体管的栅极相连，多个NMOS晶体管串联后一端漏极与第三PMOS晶体管漏极相连，多个NMOS晶体管串联后另一端源极接地，所述第三PMOS晶体管的源极与电源相连。
5.根据权利要求2所述的一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，所述第二反相器包括相串联的第四PMOS晶体管和第五NMOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的一种低功耗上电复位和掉电复位电路，其特征在于，所述负阈值电压的原生NMOS晶体管电路包括多个相串联NMOS晶体管。
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