[发明专利]柔性薄膜封装OLED结构及制作方法在审
申请号: | 202010804565.0 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN111952479A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 温质康;庄丹丹;苏智昱;乔小平 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 柯玉珊 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 薄膜 封装 oled 结构 制作方法 | ||
1.一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:包括玻璃基板、第一无机隔离壁、有机隔离壁、第二无机隔离壁以及在所述玻璃基板上方由下到上依次叠加的第一无机薄膜层、第一有机薄膜层、OLED组件、缓冲层、第二无机薄膜层、第二有机薄膜层和第三无机薄膜层;
所述第二无机隔离壁包裹住所述OLED组件与所述缓冲层的侧围,且位于所述第一有机薄膜层与所述第二无机薄膜层之间;
所述有机隔离壁包裹住所述第二无机隔离壁与所述第二无机薄膜层的侧围,且位于所述第一有机薄膜层和所述第二有机薄膜层之间;
所述第一无机隔离壁包裹住所述有机隔离壁、所述第一有机薄膜层与所述第二有机薄膜层的侧围,且位于所述第一无机薄膜层与所述第三无机薄膜层之间。
2.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:还包括二氧化硅薄膜层;
所述二氧化硅薄膜层位于所述玻璃基板与所述第一无机薄膜层之间。
3.根据权利要求2所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:所述第一无机薄膜层与所述二氧化硅薄膜层的厚度范围分别在0.2um至0.4um之间。
4.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:所述第二无机薄膜层与所述第三无机薄膜层的厚度范围在0.1um至0.15um之间;
所述第一无机隔离壁的厚度范围在4.5um至5um之间且宽度范围在0.1um至0.2um之间;
所述有机隔离壁的厚度范围在4.5um至5.5um之间且宽度范围在0.1um至0.2um之间;
所述第二无机隔离壁的厚度范围在3um至5um之间且宽度范围在0.1um至0.2um之间。
5.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:所述第二有机薄膜层为IJP制备有机层,且厚度范围在1um至2um之间。
6.根据权利要1所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:所述第一无机薄膜层、所述第二无机薄膜层、所述第三无机薄膜层、所述第二无机隔离壁和所述第一无机隔离壁的结构材料为氮化硅;
所述第一有机薄膜层与所述有机隔离壁的结构材料为聚酰亚胺;
所述第二有机薄膜层的结构材料为墨水。
7.根据权利要1所述的一种柔性薄膜封装OLED结构,其特征在于:所述OLED组件包括OLED器件与OLED显示器件;
所述OLED器件叠加在所述OLED显示器件上方。
8.一种柔性薄膜封装OLED制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在玻璃基板上方依次沉积二氧化硅薄膜层和第一无机薄膜层,在所述第一无机薄膜层上涂布第一有机薄膜层,在所述第一有机薄膜层上制备OLED组件,并在所述OLED组件蒸镀缓冲层;
S2、在所述OLED组件与所述缓冲层的侧围沉积一层与所述缓冲层上方持平的第二无机隔离壁,在所述缓冲层与所述第二无机隔离壁的上方沉积一层第二无机薄膜层;
S3、在所述第二无机隔离壁与所述第二无机薄膜层的侧围涂布一层与所述第二无机薄膜层上方持平的有机隔离壁,在所述第二无机薄膜层与所述有机隔离壁的上方打印一层第二有机薄膜层;
S4、在所述有机隔离壁与所述第二有机薄膜层的侧围沉积一层与所述第二有机薄膜层上方持平的第一无机隔离壁,在所述第二有机薄膜层与所述第一无机隔离壁的上方覆盖上第三无机薄膜层。
9.根据权利要求8述的一种柔性薄膜封装OLED制作方法,其特征在于:采用PECVD沉积氮化硅薄膜以形成所述第一无机薄膜层、所述第二无机薄膜层、所述第三无机薄膜层、所述第二无机隔离壁和所述第一无机隔离壁;
采用涂胶机涂布PI薄膜以形成所述第一有机薄膜层与所述有机隔离壁;
采用IJP打印有机墨水以形成所述第二有机薄膜层。
10.根据权利要求8述的一种柔性薄膜封装OLED制作方法,其特征在于:所述步骤S1至所述步骤S4替换为:
S1、在玻璃基板上方沉积二氧化硅薄膜层,在所述二氧化硅薄膜层上沉积一层厚度等于第一无机薄膜层预设厚度加上第一无机隔离壁厚度的第一氮化硅薄膜,对所述第一氮化硅薄膜曝光显影形成位于所述二氧化硅薄膜层上的第一无机薄膜层以及位于所述第一无机薄膜层的上方四周的第一无机隔离壁;
在所述第一无机薄膜层上涂布一层厚度等于第一有机薄膜层厚度加上有机隔离壁厚度的PI薄膜层,对所述PI薄膜层曝光显影形成位于所述第一无机薄膜层上的第一有机薄膜层以及位于所述第一有机薄膜层的上方四周的有机隔离壁;
在所述第一有机薄膜层与所述有机隔离壁形成的凹槽结构内制备OLED组件,并在所述OLED组件蒸镀缓冲层;
S2、在所述OLED组件和所述缓冲层的侧围与所述有机隔离壁之间的缝隙沉积一层与所述缓冲层上方持平的第二无机隔离壁,在所述缓冲层与所述第二无机隔离壁的上方沉积一层第二无机薄膜层;
S3、在所述第二无机薄膜层与所述有机隔离壁的上方打印一层第二有机薄膜层;
S4、在所述第二有机薄膜层与所述第一无机隔离壁的上方覆盖上第三无机薄膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择