[发明专利]静电放电保护电路和其结构

权利要求书

1.一种电路，其特征在于，包括：

输入/输出(I/O)端，所述I/O端被耦接成用于接收相对于电压供应端具有负电压的信号；

静电放电(ESD)晶体管，所述ESD晶体管形成在隔离阱中，所述ESD晶体管具有耦接到所述I/O端的控制电极和第一电流电极，所述隔离阱被配置为所述ESD晶体管的体电极；以及

第一ESD二极管，所述第一ESD二极管具有耦接到所述电压供应端的阳极电极和耦接到所述ESD晶体管的第二电流电极的阴极电极。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，形成在所述隔离阱中的所述ESD晶体管形成在半导体衬底的第一部分中，并且所述第一ESD二极管形成在所述半导体衬底的第二部分中，所述第一部分通过深沟槽隔离(DTI)结构与所述第二部分隔离。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一ESD二极管被配置和布置成所述阳极电极被所述阴极电极包围，所述阴极电极被DTI结构包围。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，另外包括第二ESD二极管，所述第二ESD二极管具有耦接到所述I/O端的阳极电极和耦接到所述电压供应端的阴极电极。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，另外包括阱连结区，所述阱连结区形成在所述隔离阱中、具有与所述隔离阱相同的导电类型，所述阱连结区耦接到所述电压供应端。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隔离阱形成在具有与所述隔离阱相反的导电类型的掩埋阱之上，所述掩埋阱通过深阱注入区耦接到所述I/O端。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制电极通过第一电阻器耦接到所述I/O端，所述第一电阻器的第一端耦接在所述控制电极处并且所述第一电阻器的第二端耦接在所述I/O端处。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述体电极通过第二电阻器耦接到所述电压供应端，所述第二电阻器的第一端耦接在所述体电极处并且所述第二电阻器的第二端耦接在所述电压供应端处。

9.一种电路，其特征在于，包括：

输入/输出(I/O)端，所述I/O端被耦接成用于接收相对于电压供应端具有负电压的信号；

静电放电(ESD)晶体管，所述ESD晶体管形成在耦接到所述电压供应端的隔离阱中，所述ESD晶体管具有耦接到所述I/O端的控制电极和第一电流电极，所述隔离阱被配置为所述ESD晶体管的体电极；以及

第一ESD二极管，所述第一ESD二极管具有耦接到所述电压供应端的阳极电极和耦接到所述ESD晶体管的第二电流电极的阴极电极。

10.一种电路，其特征在于，包括：

输入/输出(I/O)端，所述I/O端被耦接成用于接收相对于电压供应端具有负电压的信号；

掩埋阱，所述掩埋阱具有第一导电类型、形成在半导体衬底的外延(EPI)层中，所述掩埋阱耦接到所述I/O端；

隔离阱，所述隔离阱具有第二导电类型、形成在所述掩埋阱之上，所述隔离阱耦接到所述电压供应端；

静电放电(ESD)晶体管，所述ESD晶体管形成在所述隔离阱中，所述ESD晶体管具有耦接到所述I/O端的控制电极和第一电流电极，所述隔离阱被配置为所述ESD晶体管的体电极；以及

第一ESD二极管，所述第一ESD二极管具有耦接到所述电压供应端的阳极电极和耦接到所述ESD晶体管的第二电流电极的阴极电极。