[发明专利]比较器在审
申请号: | 202010794568.0 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN114070274A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 陈晓飞;郑载勲;李勳;严允柱 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杜娟娟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 | ||
本申请实施例涉及一种比较器,包括第一级电路,用于接收待比较电压信号和参考电压信号Vref,并根据待比较电压信号和参考电压信号Vref生成并输出第一放大信号和第二放大信号;第二级电路,与第一级电路连接,用于根据第一放大信号和第二放大信号生成并锁存第一输出信号和第二输出信号;其中,第一级电路和/或第二级电路包括第一交叉耦合对管。在本申请实施例中,第一级电路和第二级电路共同实现对输入的待比较电压信号和参考电压信号Vref之间的差值的放大,通过采用两级电路对信号进行放大和锁存,可以减少每一级电路中所需要的晶体管等元件的数量,从而以更低的电源电压实现了差分比较功能,进而降低了比较器对电源电压的需求和功耗。
技术领域
本申请实施例涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种比较器。
背景技术
如今,人们对手机、平板电脑和各种可穿戴配件等移动设备的需求大大增加,这极大地丰富了我们的日常生活和工作。
但是,由于电池寿命有限,对移动设备中各个组件的功耗提出了更高的要求,动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是移动设备中必不可少的组件,因此,DRAM也亟需实现更低的工作电压和更低的能耗。其中,比较器是实现DRAM数据读写的重要器件,现有的比较器的工作电压和能耗已不能满足目前的使用需求。
发明内容
基于此,有必要针对现有的比较器的工作电压和能耗较高的问题,提供一种比较器。
一种比较器,包括:
第一级电路,用于接收待比较电压信号和参考电压信号,并根据所述待比较电压信号和所述参考电压信号生成并输出第一放大信号和第二放大信号;
第二级电路,与所述第一级电路连接,用于根据所述第一放大信号和所述第二放大信号生成并锁存第一输出信号和第二输出信号;
其中,所述第一级电路和/或所述第二级电路包括第一交叉耦合对管。
在其中一个实施例中,所述第一级电路和所述第二级电路均包括钟控开关。
在其中一个实施例中,所述第一级电路和所述第二级电路在各自电流路径上具有相同的晶体管数量。
在其中一个实施例中,所述第一级电路和所述第二级电路均包括输入对管,所述第一级电路的输入对管用于接收所述待比较电压信号和所述参考电压信号,所述第二级电路的输入对管用于接收所述第一放大信号和所述第二放大信号;
其中,所述第一级电路的输入对管和所述第二级电路的输入对管的类型相同。
在其中一个实施例中,所述第一级电路的输入对管与所述第一交叉耦合对管的类型相同。
在其中一个实施例中,所述第二级电路的输入对管与所述第一交叉耦合对管的类型相同。
在其中一个实施例中,所述第一级电路的输入对管与所述第一级电路的第一交叉耦合对管在电流路径上并联设置。
在其中一个实施例中,所述第二级电路的输入对管与所述第二级电路的第一交叉耦合对管在其电流路径上并联设置。
在其中一个实施例中,所述第二级电路还包括第二交叉耦合对管。
在其中一个实施例中,所述第二级电路中的所述第一交叉耦合对管和所述第二交叉耦合对管构成锁存器,以锁存所述第一输出信号和所述第二输出信号。
在其中一个实施例中,所述第一级电路包括:
晶体管M0,所述晶体管M0的源极与高压源连接,所述晶体管M0的栅极与时钟信号连接;
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