[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括漂移区、栅极结构、发射极、发射极源区以及与所述发射极源区接触的体区，于所述漂移区的顶层沿器件的垂直方向开设第一沟槽以及第二沟槽，所述栅极结构填充于所述第一沟槽，所述发射极填充于所述第二沟槽，其中，所述栅极结构与发射极之间设置发射极源区，于所述发射极源区的下方设置体区，所述第二沟槽的底部延伸至所述体区，所述第二沟槽的深度大于所述发射极源区的厚度。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；或

所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；或

所述第二沟槽的深度等于所述第一沟槽的深度。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一沟槽在所述器件正面俯视方向上的形状为条形、方形、正六边形、三角形、多边形或圆形中的任一种或其组合。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二沟槽在所述器件正面俯视方向上的形状为条形、方形、正六边形、三角形、多边形或圆形中的任一种或其组合。

6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一沟槽在所述器件正面俯视方向上的形状与所述第二沟槽、所述发射极源区的形状相同。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管还包括集电极金属、集电极区，其中，所述集电极金属、集电极区、漂移区依次层叠设置发射极源区，所述发射极源区的两相对侧面分别与所述栅极结构的侧面、所述发射极的侧面接触，所述体区的侧面与所述栅极结构的侧面接触，所述体区的顶面与所述发射极接触。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括栅极金属以及栅极层；

其中，所述栅极层包覆于所述栅极金属的底壁与侧壁，所述发射极源区的侧面、所述体区的侧面与所述栅极层的侧面接触。

9.一种智能功率器件，包括如权利要求1-8任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。

10.一种电子产品，包括如权利要求1-8任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。

11.根据权利要求10所述的电子产品，其特征在于，所述电子产品为洗衣机。