[发明专利]制造DRAM电容器的方法

说明书

本发明涉及一种制造DRAM电容器的方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层、第二隔离层和牺牲层后，使用光刻胶的曝光与刻蚀技术形成多个孔；利用所有的孔沉积下部电极后，形成多个圆筒形下部电极，使用刻蚀技术将第二隔离层之上作出下部电极外侧的环形侧墙；利用所述环形侧墙刻蚀第二隔离层、第二模制层、第一隔离层和第一模制层，留下的隔离层形成下部电极的支撑体。通过以环形侧墙作为掩膜，刻蚀去除其他模制层和隔离层，能够简单的形成支撑体，降低工艺成本和生产时间。使电容器即便具有非常高的高宽比，也不会倾倒，能够根本性地解决电容器倾倒的问题。

技术领域

本申请涉及半导体存储器件，具体涉及一种制造DRAM电容器的方法。

背景技术

随半导体器件高集成度的发展，单元器件在衬底上的所占面积会逐渐减小。在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)技术发展过程中，作为存储单元的电容器面临如何在所占面积变小的情况下维持一定电容的挑战。目前电容器的结构以圆筒状电容为主，为了保持电容器的电容，主要是增加电容的高度，即增加电容器电极与介质层间的表面积。在筒状电容所占面积固定的情况下，电容器高度的增加会造成更高的高宽比(Aspect Ratio)。这种大的高宽比结构如果不做必要的支撑，一方面会造成电容结构的倒塌，另一方面会导致电容中部或上部的弯曲，造成相邻的电极接触，造成器件失效。

现有对电容器进行支撑的工艺，需要使用光源波长为193纳米的浸没式光刻工艺(ArF Immersion Photo)，导致生产成本和生产时间增加。本发明的方法将避免采用高成本的浸没式光刻工艺，形成对高宽比电容结构的有效支撑，从而降低生产成本、提升生产效率。

发明内容

针对上述存在的问题，本申请提供了一种制造DRAM电容器的方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层、第二隔离层和牺牲层后，使用光刻胶的曝光与刻蚀技术形成多个孔；利用所有的孔沉积下部电极后，形成多个圆筒形下部电极，使用刻蚀技术将第二隔离层之上作出下部电极外侧的环形侧墙；利用环形侧墙刻蚀第二隔离层、第二模制层、第一隔离层和第一模制层，留下的隔离层形成下部电极的支撑体。

本申请的优点在于：通过以环形侧墙作为掩膜，刻蚀去除其他模制层和隔离层，能够简单的形成支撑体，降低工艺成本和生产时间。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了DRAM电容器的结构示意图；

图2A示出了DRAM电容器的俯视示意图；

图2B示出了DRAM电容器的支撑体的俯视示意图；

图3示出了DRAM电容器的制备步骤示意图；

图4示出了形成多个孔之前的半导体结构示意图；

图5A示出了在线A1A2为界面的半导体结构上形成多个孔的示意图；

图5B示出了在线B1B2为界面的半导体结构上形成多个孔的示意图；

图6A示出了在线A1A2为界面的半导体结构上形成下部电极的示意图；

图6B示出了在线B1B2为界面的半导体结构上形成下部电极的示意图；

图7A示出了在线A1A2为界面的半导体结构上对牺牲层进行刻蚀的示意图；

图7B示出了在线B1B2为界面的半导体结构上对牺牲层进行刻蚀的示意图；