[发明专利]用于单极化或双极化的薄膜全内反射衍射光栅

权利要求书

1.一种衍射光栅，包括：

基板；

蚀刻停止层；

可蚀刻层，在蚀刻电介质层期间标示终点，

所述可蚀刻层和所述蚀刻停止层位于所述电介质层与所述基板之间；以及

蚀刻停止层的位于蚀刻停止层与可蚀刻层之间的表面是平坦的全内反射(TIR)界面；

所述电介质层，在被蚀刻后形成周期光栅层，

所述电介质层至少位于所述可蚀刻层上。

2.如权利要求1所述的衍射光栅，

其中所述蚀刻停止层防止蚀刻所述基板，且

其中所述蚀刻停止层位于所述可蚀刻层与所述基板之间。

3.如权利要求1所述的衍射光栅，还包括：

保护层，至少在所述周期光栅层上。

4.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述可蚀刻层由五氧化二钽、二氧化硅或氮化硅形成。

5.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述可蚀刻层的厚度小于0.1微米。

6.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，所述电介质层由硅或五氧化二钽形成。

7.如权利要求1所述的衍射光栅，其中，当所述蚀刻穿透所述可蚀刻层时，所述可蚀刻层通过产生可检测的反应物来标示终点。

8.如权利要求7所述的衍射光栅，其中，所述可检测的反应物包括氟化硅。

9.一种制造衍射光栅的方法，所述方法包括：

在基板上沉积蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层的一部分上沉积可蚀刻层；

蚀刻停止层的位于蚀刻停止层与可蚀刻层之间的表面是平坦的全内反射(TIR)界面；

在所述可蚀刻层上沉积电介质层；

蚀刻所述电介质层直至蚀刻停止层以形成光栅层；

蚀刻所述可蚀刻层；以及

在蚀刻所述可蚀刻层期间检测反应物，

所述反应物标示蚀刻终点。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

沉积与保护所述光栅层相关联的封装层，

所述封装层待沉积在所述光栅层上，从而将平坦的全内反射(TIR)界面改变为位于封装层的封装表面处。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述封装层的厚度与所述光栅层的厚度之间的差异为0.25微米。

12.如权利要求9所述的方法，其中，所述可蚀刻层的厚度小于0.1微米。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述反应物包括氟化硅。