[发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台

权利要求书

1.一种刻蚀炉机台，其特征在于，包括：

炉管，其可被加热；

挡板，安装在所述炉管的预定位置，用于封堵所述炉管的部分区域以配置出蚀刻腔体；

第一载具，用于承载晶片并设置在所述蚀刻腔体内；所述第一载具与所述晶片的接触为线接触或类线接触；

第二载具，用于支撑所述第一载具，所述第二载具配置有对所述晶片的蚀刻区域进行避让的避让区；

进气口，用于与所述蚀刻腔体连通并向所述蚀刻腔体内输入反应气体；

气体导向装置，用于使所述反应气体以与所述晶片的蚀刻表面平行的方向向所述晶片移动并扩散至所述晶片蚀刻表面；

所述进气口设置在所述挡板上，且所述进气口的进气路径相对于所述炉管的中心线倾斜设置，且进气口绕所述炉管中心线周向阵列布置；

所述气体导向装置包括设置在所述炉管内壁的多排扰流板，所述多排扰流板沿第一方向排列，且沿远离所述挡板的方向扰流板向炉管内壁延伸的长度逐渐变长；每排扰流板绕所述炉管的中心线周向阵列布置；

所述扰流板与所述晶片蚀刻表面平行或相对于所述晶片蚀刻表面为内倾斜。

2.根据权利要求1所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第一载具包括围合成框架结构的第一侧向支架、第一连接杆、第二侧向支架和第二连接杆；

所述第一侧向支架上设有在第一方向上延伸预定长度的第一卡条；所述第二侧向支架上设有在第一方向上延伸预定长度的第二卡条；在所述第一侧向支架与所述第二侧向支架之间且位于所述框架结构中下部的位置设有第三卡条；

所述晶片卡设在所述第一卡条、第二卡条与第三卡条限定的空间内，且所述第一卡条、第二卡条与第三卡条与所述晶片的边缘均为线接触或类线接触。

3.根据权利要求2所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第一卡条、第二卡条和第三卡条的数量均为一条；所述晶片与所述第一卡条、第二卡条和第三卡条的接触位置的中心连线为等腰三角形；

或者所述第一卡条和第二卡条的数量为两条，两条第一卡条和两个第二卡条均在第二方向上相距预定距离，所述第二方向与所述第一方向垂直。

4.根据权利要求2所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第一卡条、第二卡条与第三卡条限定的空间内可卡设多个晶片，多个所述晶片沿第一方向等间距排列。

5.根据权利要求2所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第二载具包括：

基座，贯穿所述挡板并固定在所述挡板上，包括延伸至所述蚀刻区域内部的固定端；

第一支臂和第二支臂，所述第一支臂和第二支臂自所述基座的固定端沿第一方向向所述蚀刻区域内部延伸预定长度；所述第一支臂和第二支臂均为桁架结构且在第三方向上相距预定距离，所述第一支臂和第二支臂在第三方向之间的空间构成所述避让区；

所述第一载具中的第一侧向支架固定于所述第一支臂上，所述第一载具中的第二侧向支架固定于所述第二支臂上。

6.根据权利要求5所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第一侧向支架和所述第二侧向支架的底部设有卡槽，所述第一载具与所述第二载具的连接方式为卡接。

7.根据权利要求5所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述第一支臂和第二支臂均包括两根空心闭合石英管；一根所述石英管沿所述第一方向延伸，另一根所述石英管相对第一方向倾斜设置，两根所述石英管焊接并与所述基座的固定端围成直角三角形。

8.根据权利要求1所述的刻蚀炉机台，其特征在于，所述挡板设置进气口的区域包括第一区域和第二区域；

所述第一区域与所述第二载具上方的位置对应，所述第二区域与所述第二载具下方的位置对应；

所述第二区域进气口的密集度大于所述第一区域进气口的密集度。