[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

放大模块，所述放大模块用于读取第一位线或第二位线上存储单元的数据；

第一偏移电压存储单元和第二偏移电压存储单元，分别与所述放大模块电连接；

所述放大模块包括：

第一PMOS管；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接；

所述第一偏移电压存储单元的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第一偏移电压存储单元的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；

所述第二偏移电压存储单元的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二偏移电压存储单元的第二端与所述第二NMOS管的漏极连接；

其中，在读取所述第一位线上存储单元中数据的情况下，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述灵敏放大器被配置为将所述灵敏放大器的偏移电压存储在所述第一偏移电压存储单元中；在读取所述第二位线上存储单元中数据的情况下，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述灵敏放大器被配置为将所述灵敏放大器的偏移电压存储在所述第二偏移电压存储单元中。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为电流镜，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均被配置为二极管连接方式。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接于第一节点，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接于第二节点；所述灵敏放大器还包括：

第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一节点连接，所述第一开关的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接；

第二开关，所述第二开关的第一端与所述第二节点连接，所述第二开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；

第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三开关的第二端与所述第二PMOS管的栅极连接；

其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关均处于闭合状态。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

上拉单元，用于响应上拉控制信号，控制所述第一PMOS管的源极与电源电压的连接状态；

下拉单元，用于响应下拉控制信号，控制所述第一NMOS管的源极是否接地；

其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一PMOS管的源极与所述电源电压连接，所述第一NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

第四开关，所述第四开关的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第四开关的第二端与所述第二节点连接；

第五开关，所述第五开关的第一端与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第五开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；

第六开关，所述第六开关的第一端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第六开关的第二端与所述第一节点连接；

第七开关，所述第七开关的第一端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第七开关的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接。

6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，在读取第一位线上存储单元中数据的情况下，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第五开关断开，所述第七开关闭合；

在读取第二位线上存储单元中数据的情况下，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第五开关闭合，所述第七开关断开。