[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法

说明书

本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为包含电流镜结构，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。本公开可以实现灵敏放大器的偏移消除。

技术领域

本公开涉及半导体存储器技术领域，具体而言，涉及一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法。

背景技术

随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)、SRAM(StaticRandom-Access Memory，静态随机存取存储器)的存储器由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。

灵敏放大器(Sense Amplifier，简称SA)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号进行放大，从而执行读取或写入操作。

随着技术的不断进步，半导体存储器的尺寸不断减小，在这种情况下，灵敏放大器中，由于晶体管的失配造成的失调电压越来越大，会严重影响半导体存储器的性能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，进而至少在一定程度上克服由于灵敏放大器中晶体管的失配而影响半导体存储器性能的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种灵敏放大器，包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为包含电流镜结构，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。

可选地，放大模块包括：第一PMOS管；第二PMOS管，第二PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接；第一NMOS管，第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极、偏移电压存储单元的第一端连接，第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接；第二NMOS管，第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与所述偏移电压存储单元的第二端连接；偏移电压存储单元，偏移电压存储单元的第一端与第一NMOS管的漏极连接，偏移电压存储单元的第二端与第二NMOS管的栅极连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，第一PMOS管和第二PMOS管被配置为电流镜，第一NMOS管和第二NMOS管均被配置为二极管连接方式，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。

可选地，第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连接于第一节点，第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接于第二节点；灵敏放大器还包括：第一开关，第一开关的第一端与第一节点连接，第一开关的第二端与第一NMOS管的栅极连接；第二开关，第二开关的第一端与第二节点连接，第二开关的第二端与第二NMOS管的栅极连接；第三开关，第三开关的第一端与第一PMOS管的栅极连接，第三开关的第二端与第二PMOS管的栅极连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，第一开关、第二开关、第三开关均处于闭合状态。

可选地，灵敏放大器还包括：上拉单元，用于响应上拉控制信号，控制第一PMOS管的源极与电源电压的连接状态；下拉单元，用于响应下拉控制信号，控制第一NMOS管的源极是否接地；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，第一PMOS管的源极与电源电压连接，第一NMOS管的源极接地。

可选地，第一开关还包括控制端，用于响应第一控制信号控制第一开关的开关状态；第二开关还包括控制端，用于响应第二控制信号控制第二开关的开关状态；第三开关还包括控制端，用于响应第二控制信号控制第三开关的开关状态。