[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法有效
申请号: | 202010733140.5 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN111863050B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 彭春雨;赵阳扩;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁;李新;季汝敏;何军;应战 | 申请(专利权)人: | 安徽大学;长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/08 | 分类号: | G11C7/08;G11C7/06 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 存储器 控制 方法 | ||
1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:
放大模块;
偏移电压存储单元,与所述放大模块电连接;
所述放大模块包括:
第一PMOS管;
第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接;
第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极、所述偏移电压存储单元的第一端连接,所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接;
第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的栅极与所述偏移电压存储单元的第二端连接;
其中,在所述灵敏放大器的偏移消除阶段,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为电流镜,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均被配置为二极管连接方式,以将所述放大模块的偏移电压存储在所述偏移电压存储单元中。
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接于第一节点,所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接于第二节点;所述灵敏放大器还包括:
第一开关,所述第一开关的第一端与所述第一节点连接,所述第一开关的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接;
第二开关,所述第二开关的第一端与所述第二节点连接,所述第二开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接;
第三开关,所述第三开关的第一端与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第三开关的第二端与所述第二PMOS管的栅极连接;
其中,在所述灵敏放大器的偏移消除阶段,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关均处于闭合状态。
3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:
上拉单元,用于响应上拉控制信号,控制所述第一PMOS管的源极与电源电压的连接状态;
下拉单元,用于响应下拉控制信号,控制所述第一NMOS管的源极是否接地;
其中,在所述灵敏放大器的偏移消除阶段,所述第一PMOS管的源极与所述电源电压连接,所述第一NMOS管的源极接地。
4.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一开关还包括控制端,用于响应第一控制信号控制所述第一开关的开关状态;
所述第二开关还包括控制端,用于响应第二控制信号控制所述第二开关的开关状态;
所述第三开关还包括控制端,用于响应所述第二控制信号控制所述第三开关的开关状态。
5.根据权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:
第四开关,所述第四开关的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第四开关的第二端与所述第二节点连接;
第五开关,所述第五开关的第一端与所述第二PMOS管的栅极连接,所述第五开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接;
其中,在所述灵敏放大器的偏移消除阶段,所述第四开关和所述第五开关均断开。
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第四开关还包括控制端,用于响应第三控制信号控制所述第四开关的开关状态;
所述第五开关还包括控制端,用于响应所述第三控制信号控制所述第五开关的开关状态。
7.根据权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:
第六开关,所述第六开关的第一端与第一位线连接,所述第六开关的第二端与所述第一节点连接;
第七开关,所述第七开关的第一端与第二位线连接,所述第七开关的第二端与所述第二节点连接;
其中,在所述灵敏放大器的偏移消除阶段,所述第六开关和所述第七开关均断开。
8.根据权利要求7所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第六开关还包括控制端,用于响应第四控制信号控制所述第六开关的开关状态;
所述第七开关还包括控制端,用于响应所述第四控制信号控制所述第七开关的开关状态。
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