[发明专利]光罩缺陷检测方法及系统

说明书

本发明涉及一种光罩缺陷检测方法及系统。其中光罩缺陷检测方法包括：提供光罩；提供光罩缺陷检测系统，在所述光罩上机或下机时，持续对所述光罩进行缺陷检测，获取各缺陷的缺陷信息；从各所述缺陷的缺陷信息中获取各所述缺陷的动态阈值；判断各所述缺陷的动态阈值是否属于所述检测系统不可接受的阈值，若是，进行告警处理。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种光罩缺陷检测方法及系统。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半导体器件的制造工艺中，光刻是至关重要的步骤。在光刻工艺中，光罩起着十分重要的作用，光罩的好坏直接影响着半导体产品的良率，因而检测光罩的质量也成了必要的工序。

由于光罩在未经检测到需要清洗前是持续使用的，因此光罩表面的颗粒或者其他的缺陷(光罩缺陷主要包括雾状缺陷、颗粒灰尘、擦伤等)会在使用过程中持续对制程产生影响，后续如果发现光罩上存在超出规格的粉尘颗粒或其他缺陷，则之前已进行光刻制程的晶圆将会全部被返工，导致生产成本增大。为了避免这种现象，制定有效的光罩缺陷检验模式尤为重要。

发明内容

基于此，本发明提供了一种光罩缺陷检测方法及系统，用于实现对光罩缺陷进行提前预警，以降低返工率和生产成本。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种光罩缺陷检测方法，包括：

提供光罩；

提供光罩缺陷检测系统，在所述光罩上机或下机时，持续对所述光罩进行缺陷检测，获取各缺陷的缺陷信息；

从各所述缺陷的缺陷信息中获取各所述缺陷的动态阈值；

判断各所述缺陷的动态阈值是否属于所述检测系统不可接受的阈值，若是，进行告警处理。

在其中一个实施例中，还包括：

在进行检测之前，设定所述检测系统的静态阈值，当所述缺陷的缺陷信息达到所述静态阈值时，获取所述缺陷的历史缺陷信息；

根据所述缺陷的历史缺陷信息计算所述缺陷的量测误差范围；

根据所述静态阈值和所述量测误差范围计算所述缺陷的动态阈值检测系统不可接受的阈值。

在其中一个实施例中，所述量测误差范围为(V_min，V_max)，各所述缺陷的动态阈值范围为(V_t+V_min，V_t+V_max)；

其中，V_max为达到所述静态阈值的所述缺陷的历史缺陷信息的平均绝对误差最大值，V_min为达到所述静态阈值的所述缺陷的历史缺陷信息的平均绝对误差最小值，V_t为所述缺陷的缺陷信息。

在其中一个实施例中，所述检测系统不可接受的阈值为所述静态阈值。

在其中一个实施例中，所述检测系统不可接受的阈值为动态阈值，其范围为(V_target-V_max，V_target-V_min)；

其中，V_target为所述静态阈值。

在其中一个实施例中，所述缺陷的历史缺陷信息为在选定时间段内收集到所述缺陷的缺陷信息。

在其中一个实施例中，所述缺陷的缺陷信息包括所述缺陷的坐标信息和尺寸。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种光罩缺陷检测系统，包括：