[发明专利]用于存储器装置中的高数据保留的混合擦除模式在审

专利信息
申请号: 202010697412.0 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN113821159A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 王明;李靓;万钧 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 装置 中的 数据 保留 混合 擦除 模式
【权利要求书】:

1.一种设备,包括:

控制电路,配置为连接到多个字线,所述多个字线连接到多个存储器单元,并且为了在擦除操作中对所述多个存储器单元进行多个擦除验证迭代,所述电路配置为:

进行所述擦除操作的全部字线阶段,在所述全部字线阶段中,连接到所述字线中的每一个的存储器单元在所述多个擦除验证迭代中的一个或多个擦除验证迭代中被同时地擦除,直到对于所述多个存储器单元达到擦除里程碑;并且

响应于所述多个存储器单元达到所述擦除里程碑,进行所述擦除操作的奇偶字线阶段,在所述奇偶字线阶段中,连接到所述多个字线中的奇数字线的存储器单元在所述多个擦除验证迭代中的一个或多个擦除验证迭代中与连接到所述多个字线中的偶数字线的存储器单元被分开地擦除。

2.如权利要求1所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,在所述擦除操作的全部字线阶段期间对所述多个存储器单元进行第一验证测试,并且在所述擦除操作的奇偶字线阶段期间对所述多个存储器单元进行第二验证测试;

所述第一验证测试配置为测试所述多个存储器单元相对于第一电压的阈值电压;并且

所述第二验证测试配置为测试所述多个存储器单元相对于第二电压的阈值电压,所述第二电压低于所述第一电压。

3.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,当所述多个存储器单元通过所述第一验证测试时确定达到所述里程碑。

4.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,在所述擦除操作的全部字线阶段期间对连接到所述多个字线中的每一个的所述存储器单元同时地进行所述第一验证测试,并且在所述擦除操作的奇偶字线阶段期间对连接到所述多个字线中的每一个的所述存储器单元同时地进行所述第二验证测试。

5.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,在所述擦除操作的全部字线阶段期间对连接到所述多个字线中的每一个的所述存储器单元同时地进行所述第一验证测试,并且在所述擦除操作的奇偶字线阶段期间,与连接到所述偶数字线的存储器单元分开地对连接到所述奇数字线的存储器单元进行所述第二验证测试。

6.如权利要求5所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,当所述连接到所述奇数字线的存储器单元通过与其中连接到所述偶数字线的存储器单元通过所述第二验证测试的擦除验证迭代不同的所述擦除验证迭代中的第二验证测试时,禁止所述连接到所述奇数字线的存储器单元被进一步擦除。

7.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为,当所述多个存储器单元通过所述第二验证测试时确定所述擦除操作完成。

8.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为当已经完成阈值数目的擦除验证迭代时确定达到所述里程碑。

9.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为基于所述多个存储器单元的编程-擦除循环的数目而调整所述第一电压;并且

所述第一电压是所述编程-擦除循环的数目的递减函数。

10.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为感测温度并基于所述温度调整所述第一电压;并且

所述第一电压是所述温度的递增函数。

11.如权利要求2所述的设备,其中:

所述控制电路配置为将所述第一电压设定为所述多个存储器单元将编程到的数据状态的数目的递增函数。

12.如权利要求1所述的设备,其中:

所述控制电路在一个裸芯上,并且所述多个存储器单元在另一裸芯上。

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