[发明专利]一种复合型晶体管器件的过流保护电路

权利要求书

1.一种复合型晶体管器件的过流保护电路，连接于输入端和负载端之间，其特征在于，所述过流保护电路包括：

控制端电压产生模块，用于在第一电压的驱动下，使其输出端电压跟随输入端电压变化，从而产生控制端电压以输出；

复合型晶体管器件，连接于控制端电压产生模块和负载端之间，用于在控制端电压及第二电压的作用下导通，从而产生流经所述负载端的输出电流；所述复合型晶体管器件包括：第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管的控制端连接于所述控制端电压产生模块及所述过流保护模块，所述第一晶体管的第一连接端连接于所述过流保护模块，所述第一晶体管的第二连接端连接于所述第二晶体管的控制端，所述第二晶体管的第一连接端接入所述第二电压，所述第二晶体管的第二连接端连接于所述负载端；其中，所述第一晶体管的第二连接端还通过第一电阻接入所述第二电压；

过流保护模块，连接于复合型晶体管器件和负载端之间，用于在所述输出电流超出电流限定值时，向所述复合型晶体管器件提供钳位电压，并利用所述钳位电压对流经所述复合型晶体管器件的电流进行限制，从而对所述输出电流进行限流。

2.根据权利要求1所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述控制端电压产生模块包括：第一电流源、第二电流源及PMOS控制管，所述第一电流源的一端接入所述第一电压，所述第一电流源的另一端连接于所述PMOS控制管的源极端，同时接入所述输入端电压，所述PMOS控制管的漏极端连接于所述第二电流源的一端，所述第二电流源的另一端接入所述第二电压，所述PMOS控制管的栅极端连接于其漏极端，同时作为所述控制端电压产生模块的输出端。

3.根据权利要求1所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括PMOS晶体管，所述第二晶体管包括NPN型晶体管；此时，所述PMOS晶体管的栅极端连接于所述控制端电压产生模块及所述过流保护模块，所述PMOS晶体管的源极端连接于所述过流保护模块，所述PMOS晶体管的漏极端连接于所述NPN型晶体管的基极，所述NPN型晶体管的发射极接入所述第二电压，所述NPN型晶体管的集电极连接于所述负载端。

4.根据权利要求1所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括PNP型晶体管，所述第二晶体管包括NMOS晶体管；此时，所述PNP型晶体管的基极连接于所述控制端电压产生模块及所述过流保护模块，所述PNP型晶体管的发射极连接于所述过流保护模块，所述PNP型晶体管的集电极连接于所述NMOS晶体管的栅极端，所述NMOS晶体管的源极端接入所述第二电压，所述NMOS晶体管的漏极端连接于所述负载端。

5.根据权利要求1所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括PMOS晶体管，所述第二晶体管包括NMOS晶体管；此时，所述PMOS晶体管的栅极端连接于所述控制端电压产生模块及所述过流保护模块，所述PMOS晶体管的源极端连接于所述过流保护模块，所述PMOS晶体管的漏极端连接于所述NMOS晶体管的栅极端，所述NMOS晶体管的源极端接入所述第二电压，所述NMOS晶体管的漏极端连接于所述负载端。

6.根据权利要求1所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述第一晶体管包括PNP型晶体管，所述第二晶体管包括NPN型晶体管；此时，所述PNP型晶体管的基极连接于所述控制端电压产生模块及所述过流保护模块，所述PNP型晶体管的发射极连接于所述过流保护模块，所述PNP型晶体管的集电极连接于所述NPN型晶体管的基极，所述NPN型晶体管的发射极接入所述第二电压，所述NPN型晶体管的集电极连接于所述负载端。

7.根据权利要求1至6任一项所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述过流保护模块包括：二极管串及第二电阻，所述二极管串的阳极端连接于所述第二电阻的一端，同时连接于所述负载端，所述二极管串的阴极端连接于所述第一晶体管的控制端，所述第二电阻的另一端连接于所述第一晶体管的第一连接端；其中，所述二极管串包括N个串联的二极管，N为大于1的正整数。

8.根据权利要求7所述的复合型晶体管器件的过流保护电路，其特征在于，所述第二电阻为可调电阻。