[发明专利]反熔丝存储单元状态检测电路及存储器

说明书

本公开提供一种反熔丝存储单元状态检测电路及存储器，电路包括：第一电流模块，第一端通过第一节点连接反熔丝存储单元阵列，第二端连接第二节点，第一电流模块用于通过第二节点输出检测电流，检测电流与反熔丝存储单元阵列中待测反熔丝存储单元的阻值相关；第二电流模块，第一端通过第三节点连接参考电阻的第一端，第二端连接第四节点，参考电阻的第二端接地，第二电流模块用于通过第四节点输出参考电流，参考电流与参考电阻的阻值相关；比较器，第一输入端连接第二节点，第二输入端连接第四节点，用于检测待测反熔丝存储单元的存储状态。本公开实施例可以提高反熔丝存储单元存储状态检测的准确度。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种反熔丝存储单元状态检测电路及应用该电路的存储器。

背景技术

一次性可编程存储(One time programmable，OTP)广泛应用于各类存储器中，用于实现损坏存储单元的冗余替换、电路模块的微调整等。常用的一次性可编程存储利用反熔丝存储单元的击穿或未击穿状态来进行信息存储。

通常仅通过简单的逻辑门电路(如反相器等)对反熔丝存储单元的击穿状态进行检测。在相关技术中，利用反相器来对反熔丝存储单元的击穿状态进行检测，如图1所示。如果待测反熔丝存储单元11属于被编程击穿的状态，通路电阻会比较小，那么在进行检测时，Node1节点上产生的电压较低，使得反相器的输出D_out为高；反之，如果待测反熔丝存储单元11属于未被编程击穿的状态，通路电阻会较大，Node1节点上产生的电压较高，超过反相器的翻转点，使得反相器的输出D_out为低。由于反熔丝存储单元被击穿后的电阻会在较宽范围内波动，以及工艺、电压、温度等因素对反相器等逻辑门电路的翻转点的影响，容易导致反熔丝存储单元的存储状态检测错误，造成芯片良率下降，因此亟需要一种性能更优的反熔丝存储单元状态检测电路。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种反熔丝存储单元状态检测电路及应用该电路的存储器，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的反熔丝存储单元的存储状态检测结果不准确的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种反熔丝存储单元状态检测电路，包括：第一电流模块，第一端通过第一节点连接反熔丝存储单元阵列，第二端连接第二节点，所述反熔丝存储单元阵列包括至少一条位线，每条所述位线连接所述第一节点和多个反熔丝存储单元，所述第一电流模块用于通过所述第二节点输出检测电流，所述检测电流与所述反熔丝存储单元阵列中待测反熔丝存储单元的阻值相关；第二电流模块，第一端通过第三节点连接参考电阻的第一端，第二端连接第四节点，所述参考电阻的第二端接地，所述第二电流模块用于通过所述第四节点输出参考电流，所述参考电流与所述参考电阻的阻值相关；比较器，第一输入端连接所述第二节点，第二输入端连接所述第四节点，用于检测待测反熔丝存储单元的存储状态。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电流模块包括：第一放大器，第一输入端连接参考电压，第二输入端连接所述第一节点，输出端连接第五节点；第一开关元件，第一端连接电源电压，第二端连接所述第一节点，控制端连接所述第五节点；第二开关元件，第一端连接所述电源电压，第二端连接所述第二节点，控制端连接所述第五节点；第三开关元件，第一端连接所述第二节点，第二端接地，控制端连接控制器。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二电流模块包括：第二放大器，第一输入端连接所述参考电压，第二输入端连接所述第三节点，输出端连接第六节点；第四开关元件，第一端连接所述电源电压，第二端连接所述第三节点，控制端连接所述第六节点；第五开关元件，第一端连接所述电源电压，第二端连接所述第四节点，控制端连接所述第六节点；第六开关元件，第一端连接所述第四节点，第二端接地，控制端连接控制器。