[发明专利]彩膜基板及其制作方法、显示装置

说明书

本申请提供一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，该彩膜基板包括衬底基板、位于衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于彩色滤光层远离衬底基板一侧的量子点层和位于黑矩阵远离衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，第一无机层至少包括：位于彩色滤光层与量子点层之间的第一部分；位于衬底基板上，且位于量子点层与阻隔层之间的第二部分；及位于阻隔层远离衬底基板一侧的第三部分。应用本申请可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，具体地，涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前，量子点-有机电致发光(QD-OLED)技术是比较前沿的实现高显色的方式，其通常采用蓝光OLED作为激发光源，激发QD材料发光。QD的发光原理与常规半导体发光原理相近，均是材料中载流子在接受外来能量后，达到激发态，在载流子恢复至基态的过程中，会释放能量，这种能量通常以光的形式发射出去。不同QD材料受到外界激发光源激发后会发出不同波段的光，当用蓝光光源激发红光和绿光QD材料后会发出红光和绿光。

但是，现有QD-OLED器件的制作过程中仍存在很多技术问题，在彩膜基板和显示背板对合过程中，难以实现高精度对位，容易产生串色现象，并影响最终的显示效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。

为实现本发明的目的，第一方面提供一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：

位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；

位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；

位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分。

可选地，还包括第二无机层，所述第二无机层包括：

位于所述彩色滤光层靠近所述衬底基板的一侧的第四部分；

位于所述彩色滤光层与所述黑矩阵之间的第五部分；

位于所述黑矩阵与所述阻隔层之间的第六部分。

可选地，还包括多个柱状支撑体，多个所述柱状支撑体间隔位于所述阻隔层远离所述衬底基板的一侧。

可选地，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；

还包括金属反光层，所述金属反光层位于所述柱状支撑体的外表面，用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。

可选地，还包括第三无机层，所述第三无机层位于所述阻隔层与所述柱状支撑体之间，且覆盖所述量子点层，用于对所述量子点层进行保护。

可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度的取值范围均为100nm-1500nm，且所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度，所述第二无机层的厚度大于所述第三无机层的厚度。

可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的材料均包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅及氧化铝中的一种或多种。

可选地，还包括第四无机层，所述第四无机层位于所述柱状支撑体与所述金属反光层之间，用于对所述柱状支撑体进行保护。

可选地，所述金属反光层的材料包括铝或银，所述金属反光层的厚度的取值范围为50nm-8000nm。